[发明专利]一种晶圆的离子注入方法

说明书

本发明提供一种晶圆的离子注入方法，包括以下步骤：将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；对晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将晶圆绕晶圆的中心轴往同一方向旋转360/N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过晶圆的中心，且垂直于晶圆所在平面。本发明的晶圆的离子注入方法对离子注入工艺的流程进行了改进，将离子注入过程分为多次进行，每次离子注入完毕后，将晶圆旋转360/N度后再进行下一次离子注入，可以有效消除束流微小角度偏差给产品带来的影响，可以简易而有效地提升晶圆离子注入均匀性，从而提升了产品的良率，降低了产品报废风险以及设备的利用率。

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，涉及一种晶圆的离子注入方法。

背景技术

VIISta HCS型高束流离子注入机台在12寸半导体制造离子注入工艺中应用广泛，主要针对于大剂量的注入；但由于该机台采用扫开式束流进行离子注入，存在一定固有缺陷，容易导致离子注入均匀性较差，有条带状图形的问题。

在机台实际操作中，由于VIISta HCS离子注入机存在第一透镜(为了提高低能量时的生产力和束流的传输)和第二透镜(为了提高束流聚焦和减速性能)，束流通过这两个透镜时，由于光学折射现象，边缘束流会出现与初始设定角度的微小偏差，导致在晶圆离子注入过程中，离子注入剂量均匀性出现波动，从而造成的方块电阻Rs均匀性变差，进而影响产品饱和电流(Idsat)、N/P插塞阻值等重要电性参数。该问题是VIISta HCS机台扫开型束流方式的固有缺陷，很难通过调整硬件条件进行修正。

因此，如何提供一种改进的离子注入方法，以降低或消除束流微小角度偏差给产品带来的影响，进一步提升产品的良率，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆的离子注入方法，用于解决现有技术中由于束流微小角度偏差，导致离子注入剂量均匀性出现波动，从而造成晶圆的方块电阻Rs均匀性变差，进而影响产品饱和电流(Idsat)、N/P插塞阻值等重要电性参数的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆的离子注入方法，包括以下步骤：

将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；

对所述晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将所述晶圆绕所述晶圆的中心轴往同一方向旋转360/N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过所述晶圆的中心，且垂直于所述晶圆所在平面。

可选地，1＜N≤10。

可选地，3≤N≤5。

可选地，对所述晶圆依次进行4次离子注入直至达到所述预设离子注入剂量，其中，每次离子注入完毕之后，先将所述晶圆绕所述晶圆的中心轴顺时针或逆时针旋转90度后再进行下一次离子注入。

可选地，所述N次离子注入中，每次离子注入采用的剂量为所述预设离子注入剂量的N分之一。

可选地，所述N次离子注入中，每次离子注入采用的束流角度相同。

可选地，所述N次离子注入中，每次离子注入采用的离子注入能量相同。

可选地，所述N次离子注入中，每次离子注入持续的时间相同。

可选地，所述离子注入中，离子源产生的离子至少经过两个透镜后再入射至所述晶圆中。

可选地，所述晶圆包括6英寸晶圆、8英寸晶圆及12英寸晶圆中的一种。