[发明专利]一种晶圆的离子注入方法在审
| 申请号： | 202111539094.6 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114334633A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈展奋;李梅霞;蓝玉国 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 方法 | ||
1.一种晶圆的离子注入方法，其特征在于，包括以下步骤：
将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；
对所述晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将所述晶圆绕所述晶圆的中心轴往同一方向旋转360/N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过所述晶圆的中心，且垂直于所述晶圆所在平面。
2.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：1＜N≤10。
3.根据权利要求2所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：3≤N≤5。
4.根据权利要求3所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：对所述晶圆依次进行4次离子注入直至达到所述预设离子注入剂量，其中，每次离子注入完毕之后，先将所述晶圆绕所述晶圆的中心轴顺时针或逆时针旋转90度后再进行下一次离子注入。
5.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：所述N次离子注入中，每次离子注入采用的剂量为所述预设离子注入剂量的N分之一。
6.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：所述N次离子注入中，每次离子注入采用的束流角度相同。
7.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：所述N次离子注入中，每次离子注入采用的离子注入能量相同。
8.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：所述N次离子注入中，每次离子注入持续的时间相同。
9.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：所述离子注入中，离子源产生的离子至少经过两个透镜后再入射至所述晶圆中。
10.根据权利要求1所述的晶圆的离子注入方法，其特征在于：所述晶圆包括6英寸晶圆、8英寸晶圆及12英寸晶圆中的一种。
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