[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202111527032.3 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114267685B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 金蒙;吕磊;杨林 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括常规显示区以及与常规显示区邻接的功能显示区,显示面板还包括驱动电路层、第一电极层、发光层以及第二电极层;第一电极层设置于驱动电路层中;发光层设置在驱动电路层的一侧,发光层包括:设置在功能显示区的第一发光像素和设置在常规显示区的第二发光像素;第二电极层,设置在发光层远离驱动电路层的一侧,第二电极层在功能显示区中设置有位于相邻第一发光像素之间的透光开口;其中,驱动电路层对应透光开口位置,朝向第二电极层的一侧设置有凹凸结构。本发明可以提高功能显示区内的光透过率,并降低第二电极层图案化时受到的应力,提高第二电极层的良品率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
随着消费者对屏占比需求的提高,屏下摄像头式有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)显示面板已成为OLED显示面板领域主流设计方案之一。
对屏下摄像头来说,必须保证摄像头正上方的透光区域中的各膜层有足够的光透过率。在传统的顶发射OLED显示面板中,考虑到电子注入势垒,阴极层通常选用半透明的金属薄层,如Mg-Ag合金等。对于金属薄层阴极来说,通过减薄其厚度能够在一定程度上提升阴极的光透过率,但是依然难以满足摄像头的进光需求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,能够提高功能显示子区的透光率,降低第二电极层图案化受到的应力,提高显示面板的良率。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括常规显示区以及与所述常规显示区邻接的功能显示区,所述显示面板还包括:
驱动电路层;
第一电极层,设置在所述驱动电路层中;
发光层,设置在所述驱动电路层的一侧,所述发光层包括:设置在所述功能显示区的第一发光像素和设置在所述常规显示区的第二发光像素;
第二电极层,设置在所述发光层远离所述驱动电路层的一侧,所述第二电极层在所述功能显示区中设置有位于相邻所述第一发光像素之间的透光开口;
其中,所述驱动电路层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层包括:
有机隔垫层,对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,所述像素定义层包括多个对应所述第一发光像素或所述第二发光像素的像素开口;
其中,所述像素定义层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,
其中,所述驱动电路层对应所述透光开口位置设置有凹槽,所述凹槽的底面延伸至所述有机衬底层,所述有机衬底层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,在相同单位面积内,所述第一发光像素的数量与所述第二发光像素的数量相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111527032.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种海缆保护装置和漂浮式风电机组
- 下一篇:一种Linux主机入侵检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的