[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202111527032.3 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114267685B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 金蒙;吕磊;杨林 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括常规显示区以及与所述常规显示区邻接的功能显示区,所述功能显示区包括透光子区以及位于所述透光子区与所述常规显示区之间的过渡子区,所述显示面板还包括:
驱动电路层,所述驱动电路层包括遮光层,所述遮光层包括设置于所述功能显示区内的多个第一遮光部、多个第二遮光部以及围绕多个所述第一遮光部和多个所述第二遮光部设置的第三遮光部,所述第二遮光部连接于相邻的两所述第一遮光部之间,或连接于所述第一遮光部与所述第三遮光部之间,其中,所述第三遮光部与所述过渡子区至少部分重叠设置;
第一电极层,设置在所述驱动电路层中;
发光层,设置在所述驱动电路层的一侧,所述发光层包括:设置在所述功能显示区的第一发光像素和设置在所述常规显示区的第二发光像素,一所述第一遮光部对应一所述第一发光像素设置;
第二电极层,设置在所述发光层远离所述驱动电路层的一侧,所述第二电极层在所述功能显示区中设置有位于相邻所述第一发光像素之间的透光开口;
其中,所述驱动电路层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括:
有机隔垫层,对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有所述凹凸结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,所述像素定义层包括多个对应所述第一发光像素或所述第二发光像素的像素开口;
其中,所述像素定义层为所述有机隔垫层,所述像素定义层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有所述凹凸结构。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,
其中,所述有机隔垫层为所述有机衬底层中的有机柔性子层,所述驱动电路层对应所述透光开口位置设置有凹槽,所述凹槽的底面延伸至所述有机衬底层,所述有机衬底层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有所述凹凸结构。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在相同单位面积内,所述第一发光像素的数量与所述第二发光像素的数量相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层在所述功能显示区中,对应相邻所述第一遮光部和所述第二遮光部围绕的区域,和/或,对应相邻的所述第一遮光部、所述第二遮光部、所述第三遮光部围绕的区域,设置有所述透光开口,所述透光开口与所述遮光层不重叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层包括与所述第一遮光部对应设置的第一子电极以及与所述第二遮光部对应设置的第二子电极,且相邻的所述第一子电极与所述第二子电极围绕所述透光开口设置;
其中,所述第一子电极的形状与所述第一遮光部的形状相同,所述第二子电极的形状与所述第二遮光部的形状相同。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部的边缘为波浪状或锯齿状。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光部的形状为弯曲状。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括对应所述功能显示区设置的第一晶体管以及对应所述常规显示区设置的第二晶体管;
所述遮光层还包括位于所述常规显示区内并与所述第二晶体管对应设置的第四遮光部,相同单位面积中所述第一遮光部的数量与所述第四遮光部的数量相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的