[发明专利]电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路

说明书

提供电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路，温度依赖性小、并且能够在从高电阻值到低电阻值的大范围内调整电阻值、并且面积小。一种电阻电路，其连接在第1端子与第2端子之间并且电阻值可变，所述电阻电路具有基准电阻、串联可变电阻组和并联可变电阻组，串联可变电阻组具有相互串联连接的N个并联可变电阻单元(RP(1)～(N))，N个并联可变电阻单元各自具有电阻以及与该电阻并联连接的微调元件，并联可变电阻组具有相互并联连接的M个串联可变电阻单元(RS(1)～(M))，M个串联可变电阻单元各自具有电阻以及与该电阻串联连接的微调元件。

技术领域

本发明涉及电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路。

背景技术

关于半导体集成电路的电阻电路，存在如下技术：在硅衬底上设置绝缘层，将形成于该绝缘层上的多晶硅层用作电阻元件。已知用作电阻元件的多晶硅的电阻值的温度依赖性根据向多晶硅离子注入杂质时的剂量而发生变化(例如，参照专利文献1)。

因此，为了得到温度依赖性小的多晶硅的电阻元件，必须将向多晶硅层注入的剂量控制在固定的范围内。另一方面，多晶硅的薄层(sheet)电阻值(单位面积的电阻值)依赖于剂量。因此，温度依赖性小的多晶硅电阻的薄层电阻值收敛于固定的范围。

此外，在由半导体集成电路形成恒压输出电路的情况下，例如，通过利用微调(trimming)元件微调来变更电阻电路的电阻值，将分压电路的分压比设定为期望的值。

具体而言，在将单位电阻的电阻值设为1R时，例如将1/16R、1/8R、1/4R、1/2R、1R这样的电阻串联连接，分别与各电阻并联地设置有熔丝。在制造时的微调工序中任意地切断这些熔丝，由此将电阻电路整体的合成电阻设定为期望的电阻值。将并联连接熔丝的各电阻的电阻值设为单位电阻的2的n次方(n为连续的整数)，由此能够得到在大致连续的电阻值的范围内具有期望的电阻值的电阻电路。

专利文献1：日本特开2020-21909号公报

在通过半导体集成电路实现电流检测电路的情况下，作为主要检测几mA(Milliamplere)～几100mA的范围的电流的方法，通过测量在电流检测用的电阻电路中流过电流而产生的电压来进行电流感测。在这样的电流检测用的电阻电路中，除了电阻值的温度依赖性小以外，还要求电阻电路能够根据想要检测的电流值而在从高电阻值到低电阻值的大范围内高精度地调整电阻值。

但是，在电阻值可变更的现有的电阻电路的情况下，为了高精度地调整电阻值，需要减小与熔丝并联连接的电阻的最小电阻值。如上所述，由多晶硅形成的电阻元件由于温度依赖性小的情况下的薄层电阻值是固定的，因此无法任意地减小单位电阻的电阻值。

作为使电阻电路的最小电阻值进一步变小的技术，例如存在增加并联连接的电阻的根数的技术、以及缩短单位电阻的长度L并扩大单位电阻的宽度W的技术。

但是，在应用增加并联连接的电阻的根数的技术的情况下，为了实现相对于单位电阻的电阻值1R更小的n的电阻值、即1/32R、1/64R、1/128R这样的更小的电阻值，需要分别并联连接32根、64根、128根这样的电阻元件的结构。在将这样的电阻元件并联连接的结构中，由于包含非常多的电阻元件，因此电路面积变大，进而导致半导体芯片的成本上升。

此外，在采用缩短单位电阻的长度L并扩大单位电阻的宽度W的技术来减小单位电阻的电阻值的情况下，用于将电阻电路整体的电阻值调整为更高的电阻值的串联电阻的根数增加。在该情况下，由于电路面积变大，因此也会导致半导体芯片的成本上升。

发明内容

本发明正是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供温度依赖性小、并且能够在从高电阻值到低电阻值的大范围内大致连续地调整电阻值、并且电路面积小的电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路。