[发明专利]静电卡盘及其制备方法在审
申请号: | 202111505206.6 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114203617A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 贺小明 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 及其 制备 方法 | ||
1.一种静电卡盘,包括基座、设置在所述基座上的用于加热晶圆的加热层和设置在所述加热层上的用于吸附晶圆的吸附层,其中,所述加热层与所述基座之间、所述加热层与所述吸附层之间以及所述加热层的侧面均设置有粘结层,其特征在于,还包括具有耐腐蚀材质的密封环,所述密封环上设置有多个在所述密封环的内侧面和外侧面之间贯穿的通孔,所述密封环设置在所述基座上,且环绕在所述加热层的周围,用于对位于所述密封环内侧的所述粘结层进行密封。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,每个所述通孔包括锥形孔,所述锥形孔的一端开口位于所述密封环的内侧面,另一端开口向所述密封环的外侧面延伸,所述锥形孔的直径自所述密封环的内侧面向外侧面递减。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,每个所述通孔还包括直通孔,所述直通孔的一端与所述锥形孔的开口直径最小的一端连接,另一端延伸至所述密封环的外侧面上,所述直通孔的直径等于所述锥形孔的最小直径。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述锥形孔在朝向所述密封环的外侧面的开口直径小于等于3mm;所述锥形孔在所述密封环的内侧面上的开口直径小于等于15mm;
所述直通孔的轴向深度是所述通孔轴向深度的二分之一。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述静电卡盘还包括具有耐腐蚀材质的保护环,所述保护环设置在所述基座上,且环绕在所述密封环的周围,并且所述保护环覆盖所述密封环的侧面、所述吸附层的侧面和所述基座的至少部分侧面。
6.根据权利要求5所述的静电卡盘,其特征在于,所述保护环为采用喷涂或者沉积的方式在所述密封环的侧面、所述吸附层的侧面和所述基座的至少部分侧面上形成的膜层。
7.根据权利要求1或5所述的静电卡盘,其特征在于,所述耐腐蚀材质包括陶瓷材料或者陶瓷基复合材料。
8.根据权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述陶瓷材料包括Al2O3,Y2O3,Y3Al5O12,YF3,YOF,ZrO2,Er2O3和SiC中的至少一者。
9.根据权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述陶瓷基复合材料是以Al2O3,Y2O3,Y3Al5O12,YF3,YOF,ZrO2,Er2O3和SiC中的至少一者为基的复合陶瓷。
10.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述耐腐蚀材质包括金属。
11.根据权利要求10所述的静电卡盘,其特征在于,所述密封环与所述基座一体成型。
12.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述基座的用于承载所述密封环的边缘区域低于所述基座的用于承载所述加热层的中心区域。
13.一种静电卡盘的制备方法,其特征在于,制作权利要求1-12任意一项所述的静电卡盘,所述制备方法包括:
在所述基座的上表面涂覆粘结材料;
将所述加热层放置于涂覆有所述粘结材料的所述基座上;
将所述密封环放置于所述基座上,且环绕在所述加热层的周围;
向所述加热层的上表面添加粘结材料,直至所述粘结材料覆盖所述加热层的上表面和充满所述加热层的侧面与所述密封环的内侧面之间的间隙;
将所述吸附层放置于涂覆有所述粘结材料的所述加热层上;
进行热压工艺,以将所述基座、所述加热层和所述吸附层通过所述粘结材料粘结在一起,且使所述粘结材料形成所述粘结层;
其中,所述热压工艺采用的最大热压力小于等于所述密封环的屈服强度或者断裂强度的70%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111505206.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种快装式水电管线保护装置
- 下一篇:一种装配式吊顶的安装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造