[发明专利]脉冲序列生成方法、控制方法、装置、系统及设备

权利要求书

1.一种基于离子阱的脉冲序列生成方法，包括：

确定对当前激光信号的振幅和相位进行切片处理所需的切片数量N，进行切片处理，得到N个振幅切片和N个相位切片所形成的第一对称脉冲序列；其中，所述N个振幅切片满足第一对称关系，所述N个相位切片满足第二对称关系；N为大于等于2的整数；

模拟所述第一对称脉冲序列施加于离子阱的预设离子量子比特上，以得到第一近似量子比特门；

在至少所述第一近似量子比特门与目标量子比特门之间的差异程度满足预设条件的情况下，将当前的所述第一对称脉冲序列作为目标脉冲序列。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一近似量子比特门与目标量子比特门之间的差异程度不满足所述预设条件的情况下，对当前激光信号的振幅和相位进行调整，以更新所述第一对称脉冲序列；

在所述第一对称脉冲序列更新完成后，再次模拟所述第一对称脉冲序列施加于离子阱的预设离子量子比特上，以再次得到第一近似量子比特门，直至至少所述第一近似量子比特门与目标量子比特门之间的差异程度满足预设条件为止。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

获取用于实现所述目标量子比特门所需的离子阱的参数信息；

其中，所述确定对当前激光信号的振幅和相位进行切片处理所需的切片数量N，包括：

基于所述参数信息，确定对当前激光信号的振幅和相位进行切片处理所需的切片数量N。

4.根据权利要求3所述的方法，所述参数信息至少表征所述离子阱中离子量子比特的数量；其中，

所述基于所述参数信息，确定对当前激光信号的振幅和相位进行切片处理所需的切片数量N，包括：

至少基于所述离子阱中离子量子比特的数量，确定对当前激光信号的振幅和相位进行切片处理所需的切片数量N。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述切片数量N与所述离子阱中离子量子比特的数量线性正相关。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其中，所述N个振幅切片满足第一对称关系，包括：

Ω₁＝Ω_N，…，Ω_i＝Ω_N-i+1；

其中，所述Ω_i表征第i个振幅切片，所述i为大于等于1小于等于N的整数。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其中，所述N个相位切片满足第二对称关系，包括：

φ₁＝-φ_N，…，φ_i＝-φ_N-i+1；

其中，所述φ_i表征第i个相位切片，所述i为大于等于1小于等于N的整数。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其中，所述模拟所述第一对称脉冲序列施加于离子阱的预设离子量子比特上，以得到第一近似量子比特门，包括：

模拟所述第一对称脉冲序列施加于离子阱的预设离子量子比特上，以及模拟所述离子阱周边不存在环境噪声的情况下，得到第一近似量子比特门。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

预估所述离子阱周边的环境噪声范围，其中，所述环境噪声范围表征所述离子阱周边的环境噪声大于或等于第一噪声值，小于或等于第二噪声值，所述第一噪声值小于所述第二噪声值；

模拟所述第一对称脉冲序列施加于离子阱的预设离子量子比特，以及模拟所述离子阱处于所述第一噪声值的情况下，得到第二近似量子比特门；

确定所述第二近似量子比特门与所述目标量子比特门之间的差异程度；

至少基于所述第二近似量子比特门与所述目标量子比特门之间的差异程度，以及所述第一近似量子比特门与所述目标量子比特门之间的差异程度，得到目标差异程度；

其中，所述至少所述第一近似量子比特门与目标量子比特门之间的差异程度满足预设条件，包括：

所述目标差异程度满足预设条件。