[发明专利]一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体如下：采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片为基底，采用采用化学气相沉积法在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于：采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；具体为：

步骤(1).将次磷酸钠放入刚玉舟中，然后在刚玉舟表面覆盖1-5平方厘米，厚度为250-1000微米的铜箔；

步骤(2).将步骤(1)的刚玉舟放入刚玉管中，抽真空后，充入1个大气压的氩气，然后刚玉管两端密封；

步骤(3).将步骤(2)刚玉管通过管式炉加热至280～300℃，升温速率10℃/min；温度升至280～300℃后保温，保温时间为30～60min；然后自然冷却至室温，刚玉管抽真空去除管内残留气体，然后取出产物表面生长有磷化亚铜的铜箔。

3.根据权利要求1所述的一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于：所述的以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片为基底，采用化学气相沉积法在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜，具体为：

步骤(1).将表面生长有磷化亚铜的铜箔放入刚玉舟中，然后转入刚玉管中，并将刚玉管中倾斜，并在刚玉管口放入表面生长有氧化层的硅片；抽真空，充入1个大气压的氩气，然后刚玉管两端密封；

步骤(2).将步骤(1)的刚玉管中间位置通过管式炉加热至700～850℃，刚玉管口的温度为550～700℃，升温速率为10℃/min；温度升至700～850℃后保温，保温时间为10～30min；然后自然冷却至室温，之后取出刚玉管口的产物，获得在基底表面生长的磷化亚铜二维薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基底尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm。

5.根据权利要求2或3所述的一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于：所述的刚玉管直径为1英寸且抽真空的装置带尾气净化设备。

6.根据权利要求2或3所述的一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，其特征在于：所述的刚玉舟尺寸为0.8厘米×0.6厘米×6厘米。