[发明专利]空穴缓冲材料及其制备方法和OLED器件

说明书

本申请公开了一种空穴缓冲材料及其制备方法和OLED器件。所述空穴缓冲材料包括五氧化二钒和氧化石墨烯，所述五氧化二钒和所述氧化石墨烯的重量比为3：1～3；其中，所述空穴缓冲层材料为层状的复合材料，包括氧化石墨烯纳米片和五氧化二钒纳米带。本申请的空穴缓冲材料采用五氧化二钒和氧化石墨烯复合材料，具有多级结构，氧化石墨烯纳米片与超薄五氧化二钒纳米带的相互支撑；石墨烯还可以提高了材料的导电性，可有效提高OLED器件的电流效率。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种空穴缓冲材料及其制备方法和OLED器件。

背景技术

有机发光二极管(OLED)具有自发光、视角范围大、功率损耗低、响应时间短、对比度高、可柔性显示等优点，被广泛应用在新型显示器中，成为当今显示市场的领导者，同时推动了不同尺寸新屏幕显示器的发展。

OLED器件中半导体发光材料在外加电场作用下，通过载流子注入、传输、复合在发光层形成激子，激子跃迁辐射产生发光现象。因此，OLED器件的复合发光强度与激子的复合概率以及电子和空穴的浓度成正比，想要获得理想效率的器件，需要器件内部注入电子和空穴的浓度相对平衡。然而，在OLED材料中，空穴的迁移率往往大于电子的迁移率，造成器件内载流子不平衡，导致一部分能量以热的形式损失掉，从而影响器件效率。

因此，亟待提供一种空穴缓冲材料，改善OLED器件性能。

发明内容

本申请的目的在于提供一种空穴缓冲材料，具有多级结构，且该材料还具有较高的导电性，可以调节OLED器件内载流子浓度，改善器件性能。

本申请提供一种空穴缓冲材料，包括五氧化二钒(V₂O₅)和氧化石墨烯，所述五氧化二钒和所述氧化石墨烯的重量比为3：1～3；

其中，所述空穴缓冲层材料为层状的复合材料，包括氧化石墨烯纳米片和五氧化二钒纳米带。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述五氧化二钒纳米带的厚度小于5nm，宽为200～800nm，长为10～90μm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化石墨烯纳米片的厚度小于5nm。

相应的，本申请还提供一种空穴缓冲层材料的制备方法，包括如下步骤：

将五氧化二钒溶液与氧化石墨烯分散体混合，在53～57℃的水浴条件下混合均匀，得到混合液；

将所述混合液与聚四氟乙烯混合，在170～190℃下反应，得到反应液，过滤，洗涤，冷冻干燥，得到产物V₂O₅·nH₂O@GO。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化石墨烯分散体的制备步骤包括：将氧化石墨烯(GO)粉末分散到去离子水中，超声处理，得到氧化石墨烯分散体。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述五氧化二钒溶液的制备步骤包括：将五氧化二钒(V₂O₅)粉末溶解在去离子水中，逐滴加入双氧水，反应，得到五氧化二钒溶液。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述双氧水的浓度为28～32wt％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述五氧化二钒与所述氧化石墨烯的重量比为3：1～3。进一步地，所述五氧化二钒与所述氧化石墨烯的重量比为3：2。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述冷冻干燥的条件为：压力为3～20Pa，温度为-40至-60℃，冻干时间为24～48h。

相应的，本申请还提供一种OLED器件，包括：

阳极层；