[发明专利]空穴缓冲材料及其制备方法和OLED器件

权利要求书

1.一种空穴缓冲材料，其特征在于，包括五氧化二钒和氧化石墨烯，所述五氧化二钒和所述氧化石墨烯的重量比为3：1～3；

其中，所述空穴缓冲层材料为层状的复合材料，包括氧化石墨烯纳米片和五氧化二钒纳米带。

2.根据权利要求1所述的空穴缓冲材料，其特征在于，所述五氧化二钒纳米带的厚度小于5nm，宽为200～800nm，长为10～90μm；和/或

所述氧化石墨烯纳米片的厚度小于5nm。

3.一种空穴缓冲层材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将五氧化二钒溶液与氧化石墨烯分散体混合，在53～57℃的水浴条件下混合均匀，得到混合液；

将所述混合液与聚四氟乙烯混合，在170～190℃下反应，得到反应液，过滤，洗涤，冷冻干燥，得到产物V₂O₅·nH₂O@GO。

4.根据权利要求3所述的空穴缓冲层材料的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯分散体的制备步骤包括：将氧化石墨烯粉末分散到去离子水中，超声处理，得到氧化石墨烯分散体。

5.根据权利要求3或4所述的空穴缓冲层材料的制备方法，其特征在于，所述五氧化二钒溶液的制备步骤包括：将五氧化二钒粉末溶解在去离子水中，逐滴加入双氧水，反应，得到五氧化二钒溶液。

6.根据权利要求5所述的空穴缓冲层材料的制备方法，其特征在于，所述五氧化二钒与所述氧化石墨烯的重量比为3：1～3。

7.根据权利要求3所述的空穴缓冲层材料的制备方法，其特征在于，所述冷冻干燥的条件为：压力为3～20Pa，温度为-40至-60℃，冻干时间为24～48h。

8.一种OLED器件，其特征在于，包括：

阳极层；

空穴缓冲层，设置于所述阳极层上，其中，所述空穴缓冲层的材料为如权利要求1或2所述的空穴缓冲材料；

空穴功能层，设置于所述空穴缓冲层上；

发光层，设置于所述空穴功能层上；

电子功能层，设置于所述发光层上；

阴极层，设置于所述电子功能层上。

9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述发光层与所述空穴功能层之间还设置有一电子阻挡层；和/或

所述发光层与所述电子功能层之间还设置有一空穴阻挡层。

10.根据权利要求8或9所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层。

11.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴缓冲层的厚度为6～10nm。