[发明专利]存储器裸片上的存储器位置年限跟踪在审

专利信息
申请号: 202111484256.0 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114613413A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: F·G·特里维迪 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;H05K3/34
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 裸片上 位置 年限 跟踪
【说明书】:

各种实施例实现对存储器裸片的一或多个物理存储器位置(例如,物理块)进行年限跟踪,所述存储器裸片可来自存储器装置的部分。特定来说,各种实施例使用所述存储器裸片上的一或多个老化分组提供存储器裸片(例如,存储器集成电路IC)的一或多个物理存储器位置的年限跟踪,其中每一老化分组与所述存储器裸片的一组不同的物理存储器位置相关联。通过针对一组物理存储器位置使用老化分组,各种实施例可使得在存储器裸片已经受一或多个回流焊接工艺之后与所述存储器裸片交互的处理装置能够确定在所述一或多个回流焊接工艺之后所述组物理存储器位置的老化程度。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器装置,且更具体来说,涉及跟踪存储器裸片上的一或多个物理存储器位置的年限,所述存储器裸片可形成存储器装置的部分。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。举例来说,所述存储器装置可为非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以将数据存储于存储器装置处及从存储器装置检索数据。

发明内容

本公开的一方面涉及一种方法,其包括:致使存储器裸片通电,所述存储器裸片包括:一组物理存储器位置;老化分组,其与所述组物理存储器位置相关联,所述老化分组包括与所述组物理存储器位置不同的所述存储器裸片的一或多个物理存储器位置;及逻辑,其用于跟踪所述组物理存储器位置的程序擦除计数,所述程序擦除计数描述数据已写入到所述组物理存储器位置或从所述组物理存储器位置擦除的次数,且所述程序擦除计数存储在所述老化分组上;致使预加载数据的一部分存储在所述组物理存储器位置上,将预加载数据的所述部分存储在所述组物理存储器位置上致使所述程序擦除计数被更新;致使所述存储器裸片断电;及在所述存储器裸片断电之后,将所述存储器裸片焊接安装到印刷电路板。

本公开的另一方面涉及一种系统,其包括:存储器裸片,其包括:一组物理存储器位置;及老化分组,其与所述组物理存储器位置相关联,所述老化分组包括所述存储器裸片的一或多个物理存储器位置,且所述老化分组存储描述数据已写入到所述组物理存储器位置或从所述组物理存储器位置擦除的次数的程序擦除计数;处理装置,其操作地耦合到所述存储器裸片,所述处理装置经配置以执行包括以下内容的操作:确定所述老化分组的电荷损耗值;从所述老化分组获得所述程序擦除计数;及基于所述电荷损耗值并进一步基于所述程序擦除计数来确定所述组物理存储器位置的年限。

本公开的又一方面涉及至少一种包括指令的非暂时性机器可读存储媒体,所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下内容的操作:确定存储器裸片的老化分组的电荷损耗值,所述老化分组与所述存储器裸片的一组物理存储器位置相关联,所述老化分组包括所述存储器裸片的一或多个物理存储器位置;基于所述电荷损耗值确定电压电平阈值,所述电压电平阈值用于从所述组物理存储器位置读取数据;基于所述电压电平阈值从所述组物理存储器位置读取数据;基于所述电荷损耗值确定所述组物理存储器位置的刷新准则;及基于所述刷新准则对存储在所述组物理存储器位置上的数据执行刷新过程。

附图说明

将从下文给出的详细描述及本公开的各种实施例的附图更充分理解本公开。然而,图式不应被视为将本公开限定于特定实施例,而仅用于解释及理解。

图1是说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统的框图。

图2到6是根据本公开的一些实施例的用于跟踪存储器裸片的一组物理存储器位置的年限的实例方法的流程图。

图7是说明根据本公开的一些实施例的基于应用于存储器裸片的数目回流焊接工艺的存储器裸片的老化分组的实例电荷/电压分布的图表。

图8提供说明在一些实施例的上下文的计算环境的组件之间的交互的交互图,其中执行如本文描述的使用存储器裸片的一或多个物理存储器位置的年限跟踪的方法。

图9是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

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