[发明专利]射频磁控溅射法制备MgZnO日盲紫外光电探测器在审
| 申请号： | 202111479852.X | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116247112A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋大勇;赵曼;梁庆成;邓蕊;高尚;李昊达;孙佳梅;王美娇;翁思远;邢美焦;赵洪平;韩吉超 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/107;H01L31/18;C23C14/08;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 磁控溅射 法制 mgzno 紫外 光电 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频磁控溅射法制备氧化锌雪崩紫外光电探测器的制备方法，其特征在于有如下结构：在石英衬底1表面覆盖有Mg含量为50％的MgZnO薄膜2；在MgZnO薄膜2的表面具有由金组成的MSM结构的电极3。
2.根据权利要求1所述，利用射频磁控方法制备MgZnO薄膜，其特征在于，使用Mg含量为50％氧锌镁热熔陶瓷靶，利用射频磁控溅射技术，在二氧化硅衬底1上生长5h MgZnO薄膜2；溅射时设备的本底真空抽至5.0×10-4Pa，生长气压为3Pa，Ar:O2为60:3sccm溅射功率为150W，转速为5r/min，衬底温度为400℃。
3.根据权利要求1所述，通过直流溅射的方法在MgZnO薄膜表面，其特征在于，蒸镀一层约为20nm厚的Au膜；利用传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法，制备MSM电极3结构的MgZnO紫外光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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