[发明专利]低应力介质复合膜及其制作方法在审
| 申请号： | 202111474059.0 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114242568A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周望;刘柏含;刘泽文;陈涛 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应力 介质 复合 及其 制作方法 | ||
1.低应力介质复合膜，包括有单晶硅衬底，其特征在于：所述单晶硅衬底上分布有SiO2热氧化薄膜层，所述SiO2热氧化薄膜层上分布有SiO2薄膜层，所述SiO2薄膜层上分布有SiNx薄膜层。
2.根据权利要求1所述的低应力介质复合膜，其特征在于：所述单晶硅衬底的厚度为1000至3000nm，所述SiO2热氧化薄膜层的厚度为600至1200nm，所述SiO2薄膜层的厚度为200至600nm，所述SiNx薄膜层的厚度为300至800nm。
3.低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一，以硅片为载体，对其单晶硅衬底进行清洗；
步骤二，采用基片曲率法测试应力装置测量硅片的曲率；
步骤三，通过硅热氧化工艺获得SiO2热氧化薄膜层；
步骤四，在SiO2热氧化薄膜层上沉积SiO2薄膜层；
步骤五，在SiO2薄膜层上沉积SiNx薄膜层；
步骤六，进行刻蚀；
步骤七，采用基片曲率法测试应力装置，进行校验。
4.根据权利要求3所述的低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，对单晶硅衬底分别采用丙酮和异丙醇超声清洗，之后用去离子水冲洗，最终，通过氮气吹干或者晶圆甩干机甩干衬底表面水。
5.根据权利要求3所述的低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，通过氧化炉系统进行硅热氧化，氧化温度为900℃至1200℃，生成厚度为600至1200nm的SiO2热氧化薄膜层。
6.根据权利要求3所述的低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，在SiO2热氧化薄膜层上使用LP CVD工艺，在750℃至850℃温度范围，沉积一层厚度为200至600nm的SiO2薄膜层。
7.根据权利要求3所述的低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，在SiO2薄膜层上使用LP CVD工艺，在750℃至850℃温度范围，沉积一层厚度为300至800nmSiNx薄膜层。
8.根据权利要求3所述的低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于：所述步骤六中，对硅片的正面通过光刻胶构成保护层，利用湿法工艺刻蚀背面的SiO2薄膜层和SiNx薄膜层。
9.根据权利要求3所述的低应力介质复合膜的制备方法，其特征在于：所述步骤七中，采用基片曲率法测试应力装置，测量生长SiO2薄膜和SiNx薄膜层后的硅片曲率，利用Stoney曲率公式计算出应力，当应力＜50MPa，判定为合格。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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