[发明专利]一种BJT半导体器件在审
| 申请号： | 202111472250.1 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114267726A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱丽霞 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bjt 半导体器件 | ||
1.一种BJT半导体器件，其特征在于，所述BJT半导体器件包括半导体基底，所述半导体基底包括：
基区，所述基区上形成多晶硅场效应结构；
发射区，所述发射极形成于所述多晶硅场效应结构周围的基区中；
集电区，所述集电极包围在所述基区外；
其中，所述多晶硅场效应结构与所述发射区电性连通。
2.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，电性连通的所述多晶硅场效应结构与所述发射极，使得位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成电位差，所述电位差能够吸引所述基区中的多子杂质，降低所述基区中的寄生电阻。
3.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，所述发射区的侧表面与所述多晶硅场效应结构下方的基区部分接触。
4.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，所述多晶硅场效应结构为封闭环形，位于封闭环形的所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成基区环部；
所述基区环部将所述发射区分隔为第一发射区部和第二发射区部；
所述第一发射区部为封闭环状，包围在所述基区环部外；
所述基区环部包围在所述第二发射区部外。
5.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，所述多晶硅场效应结构为条形；位于条形的所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成基区条部；
所述基区条部将所述发射区分隔为位于所述基区条部两侧的第一发射区部和第二发射区部。
6.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，所述多晶硅场效应结构为螺旋形、十字形、田字形中的任意一种，位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分的形状与所述多晶硅场效应结构的形状一致。
7.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，所述多晶硅场效应结构包括多个多晶硅场效应结构条；
多个多晶硅场效应结构条在所述基区上平行或交叉排布。
8.如权利要求1至7中任一项所述的BJT半导体器件，其特征在于，位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分，与其他基区部分连通。
9.如权利要求1所述的BJT半导体器件，其特征在于，所述发射区中多子杂质的导电类型与所述集电区中多子杂质的导电类型相同；
所述基区中多子杂质的导电类型与所述发射区中多子杂质的导电类型，以及所述基区中多子杂质的导电类型与所述集电区中多子杂质的导电类型相反。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111472250.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种机电式制动控制装置
- 下一篇：一种LDMOS器件的制备方法及器件
- 同类专利
- 专利分类
