[发明专利]一种用于晶圆的寻位装置、寻位方法及晶圆计速方法有效
| 申请号: | 202111472231.9 | 申请日: | 2021-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN113889429B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
| 发明(设计)人: | 殷骐;陈阳阳 | 申请(专利权)人: | 杭州众硅电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G01P3/64;B08B1/02 |
| 代理公司: | 杭州凯知专利代理事务所(普通合伙) 33267 | 代理人: | 邵志 |
| 地址: | 311300 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 装置 方法 晶圆计速 | ||
本发明公开了一种用于晶圆的寻位装置,晶圆处于转动状态,其外边缘带有缺口部;寻位装置至少包括,信号发送机构,用于向晶圆所在方向发送信号,该信号可从缺口部通过,信号经过晶圆时被其阻挡;信号接收机构,用于接收信号发送机构发送的信号,以判断缺口部是否经过信号发送的路径,或者,判断缺口部经过信号发送路径的次数。本发明又公开了一种晶圆寻位方法。本发明还公开了一种旋转晶圆计速方法。本发明实现晶圆定位,可确定晶圆缺口部位置,提高了工艺过程晶圆取放可靠性,节省了设备的空间;提高了晶圆转速检测可靠性。
技术领域
本发明属于半导体集成电路芯片制造领域,尤其是涉及一种用于晶圆的寻位装置、寻位方法及晶圆计速方法。
背景技术
化学机械平坦化是集成电路工艺中的一种加工工艺。随着技术的发展,对加工工艺的要求会随之提高,同时化学机械平坦化在晶圆加工过程中属于湿法工艺,在整个工艺过程中会使用大量的研磨液以及不同的化学试剂,所以在工艺末端需要对晶圆进行一个清洗和干燥来去除附着在晶圆表面的颗粒,从而能够进入到下一道工艺的制程中。
由于8英寸晶圆和12英寸晶圆定位为小缺口形式,缺口宽度1.5~3mm深度1~2mm,如图14所示,L1为1.5~3mm,L2为1~2mm,缺口较小不会影响机构的抓取、传输和定位,因此不存在缺口寻位的需求。但是6英寸晶圆定位缺口采取了平面的形式,平面宽度长达57.5mm,即缺口整体面积相对较大,常规工装加取会导致晶圆的脱落,严重影响工艺流程的安全性和可靠性。因此需要通过对6英寸晶圆缺口平面进行寻位和定位,确保在抓取过程能够避免受到影响。
在清洗之后晶圆上用于定位的缺口无法准确定位,对后续干燥工艺装置夹取机构定位有极高的要求,增加了机构复杂性降低了可靠性。为提高晶圆抓取传输及固定的可靠性,以及实现晶圆转速的准确记录,晶圆寻位及计速方法有待改进。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供一种可以实现在晶圆停止转动时,其缺口部位于正上方,实现准确计算晶圆的转动速度,装置结构简单的用于晶圆的寻位装置、晶圆寻位方法及晶圆计速方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于晶圆的寻位装置,所述晶圆处于转动状态,其外边缘带有缺口部;所述寻位装置至少包括,
信号发送机构,用于向晶圆所在方向发送信号,该信号可从缺口部通过,信号经过晶圆时被其阻挡;
信号接收机构,用于接收信号发送机构发送的信号,以判断缺口部是否经过信号发送的路径,或者,判断缺口部经过信号发送路径的次数。
进一步的,所述缺口部为晶圆边缘水平切削形成。
进一步的,所述信号完整通过缺口部时,所述信号距离缺口部的平面的垂直距离为h,则0<h≤5mm。
进一步的,所述信号发送机构和信号接收机构位于晶圆的同一侧;或者,所述信号发送机构和信号接收机构位于晶圆的两侧;或者,所述信号发送机构和信号接收机构为一体结构。
进一步的,所述信号发送机构为激光发生器,所述信号接收机构为激光接收器,所述信号为带状激光。
进一步的,所述寻位装置还包括反射板,所述信号发送机构为透过式激光发生器,所述信号接收机构为透过式激光接收器;
所述寻位装置还包括反射板,所述信号发送机构、信号接收机构为回归反射式激光发生器。
进一步的,所述信号发送机构和信号接收机构外设有透明罩。
进一步的,还包括信号处理机构,其与信号发送机构和信号接收机构相连。
本发明又公开了一种晶圆寻位方法,包括以下步骤:
确定信号发送机构发送的信号从缺口部完整通过时的信号强度阈值;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





