[发明专利]存储器资源使用率检测及存储分配方法及装置

说明书

本申请涉及一种存储器资源使用率检测及存储分配方法及装置，所述方法包括将存储芯片的存储空间分为多个地址扇区和多个数据扇区，每个地址扇区和每个数据扇区均包括数据区和计数区，存储芯片上电初始化后，读取地址扇区中待测参数的所在扇区的地址，根据地址读取数据扇区以获取待测参数数据；待测参数数据至少包括累计擦写次数；当待写入数据扇区有参数需要写入时，比较累计擦写次数与预设的擦写次数阈值并显示比较结果；根据比较结果判断是否将参数写入待写入数据扇区或生成故障信息并进行显示。本申请增加存储芯片资源使用率状态显示和存储异常的故障显示，便于排查存储芯片的存储问题，避免控制器在功能失效的情况下运行而没有被发现。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域，具体涉及一种存储器资源使用率检测及存储分配方法。

背景技术

非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失的电脑存储器，这也是与易失性存储器最大的区别。具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。

由于非易失性存储器(通常包括FLASH即闪存和EEPROM即电可擦除只读存储器和铁电器件等，以下用FLASH为例代替非易失性存储器作为描述)具有数据掉电不丢失和在线可编程的特性，因此通常嵌入式系统都会使用FLASH等非易失性存储器作为应用开发MCU程序的存储器。FLASH都会有擦除次数限制，通常FLASH的可擦写次数约为10万次。如果对同一存储区域累计擦写超出限制，则会将存储芯片写坏，失去记忆功能。

相关技术中，一般会牺牲参数的记忆实时性来延长记忆存储芯片的使用寿命，避免频繁改写参数损坏存储芯片，如参数改变后半小时才将更改的参数写入到FLASH中。或者牺牲对机组运行的精确控制，如对某些计时放弃以分钟或者秒为单位的断电存储功能。除此之外，目前非易失性存储器在使用过程中没有FLASH资源使用率显示和存储失效告警，无法判断是否正常使用FLASH。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种存储器资源使用率检测及存储分配方法及装置，以解决现有技术中非易失性存储器在使用过程中没有FLASH资源使用率显示和存储失效告警，无法判断是否正常使用FLASH的问题。

为实现以上目的，本发明采用如下技术方案：一种存储器资源使用率检测及存储分配方法，包括：

将存储芯片的存储空间分为多个地址扇区和多个数据扇区，所述数据扇区用于存放数据参数，所述地址扇区用于存放数据参数所在扇区的地址；每个地址扇区和每个数据扇区均包括数据区和计数区；

存储芯片上电初始化后，读取地址扇区中待测参数的所在扇区的地址，根据所述地址读取所述数据扇区以获取待测参数数据；所述待测参数数据至少包括累计擦写次数；

比较所述累计擦写次数与预设的擦写次数阈值并显示比较结果；

当待写入数据扇区有参数需要写入时，根据所述比较结果判断是否将所述参数写入所述待写入数据扇区或生成故障信息并进行显示。

进一步地，每个所述地址扇区、数据扇区均具有N个扇区，所述数据区占用前N-1个扇区以存放记忆数据，所述计数区占用所述存储芯片的最后一个扇区以记录该扇区的累计擦写次数。

进一步地，所述根据所述比较结果判断是否将所述参数写入所述待写入数据扇区或生成故障信息并进行显示，包括：

如果所述累计擦写次数小于所述擦写次数阈值，则将所述累计擦写次数加1，同时将更新后的参数及更新后的累计擦写次数重新写入所述待写入数据扇区；

如果所述累计擦写次数大于等于所述擦写次数阈值，则生成故障信息并进行显示。

进一步地，当所述累计擦写次数大于等于所述擦写次数阈值时，还包括：

向用户确认是否更改存储地址；