[发明专利]一种低损硅基滤波器及其制作方法

权利要求书

1.一种低损硅基滤波器，其特征在于，包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元分别包括第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，所述第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层上下依次层叠，所述高阻硅介质层上设置有硅坑，所述硅坑位于对应第一金属层的正下方，所述硅坑的底部呈锯齿状或者连续的波浪状，所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔，所述通孔依次贯穿第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，且通孔的内壁表面设置有金属沉积层，所述硅坑刻蚀在高阻硅介质层上，且不刻穿。

2.根据权利要求1所述的低损硅基滤波器，其特征在于，所述通孔为全通孔或半通孔，所谓半通孔，是指半通孔的横截面为全通孔横截面的一半。

3.根据权利要求2所述的低损硅基滤波器，其特征在于，硅腔谐振单元的数量n≥1，且为整数， n大于1时，n个硅腔谐振单元排列成矩阵，此时，相邻两个硅腔谐振单元相对边缘上的通孔为半通孔，且相邻两个硅腔谐振单元边缘的半通孔对应组合为全通孔。

4.根据权利要求3所述的低损硅基滤波器，其特征在于，还包括输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽，所述输入馈线槽和第一缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵的中任一行的首位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输入馈线槽从对应第一金属层边缘向内延伸并与第一缺陷耦合槽连通，进行待滤波信号的输入；

所述输出馈线槽和第二缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元的矩阵中任一行的末位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输出馈线槽与第二缺陷耦合槽连通并延伸至对应第一金属层的边缘，输出滤波信号。

5.根据权利要求4所述的低损硅基滤波器，其特征在于，所述输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽深度与第一金属层的厚度相对应。

6.根据权利要求1所述的低损硅基滤波器，其特征在于，锯齿状包括多个间隔分布的矩形或者三角形截面的凸筋。

7.一种权利要求1~6任一所述的低损硅基滤波器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在高阻硅介质两面抛光，形成高阻硅介质层；

在高阻硅介质层正面刻蚀所需尺寸的硅坑，并在硅坑的底部形成呈锯齿状或者连续的波浪状结构；

在高阻硅介质层上方形成厚膜层；

在厚膜层上面溅射电镀第一金属层，在高阻硅介质层下方电镀第二金属层；

贯穿刻蚀第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层的边缘，形成贯穿的通孔；

在通孔内壁四周溅射金属沉积层。