[发明专利]一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路有效

专利信息
申请号: 202111441057.1 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114138048B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 马杰;贾振;朱传坤;张东彪 申请(专利权)人: 深圳列拓科技有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 代理人: 任万玲;杨仁波
地址: 518107 广东省深圳市光明区凤凰街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 mcu 控制 芯片 外电 ldo 稳压器 电路
【说明书】:

发明公开一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路,包括:镜像对晶体管、运放单元、分压电路和对称电路。对称电路与偏置电压连接,其一端与晶体管镜像对中的一个晶体管的漏极连接,另一端与晶体管镜像对中另一个晶体管的漏极以及稳压器输出端连接,对称电路配置有与另一个晶体管的栅极连接的驱动端;对称电路采用完全对称的电路设计结构,稳定了LDO稳压器输出端的输出电压,使其不会跟随工艺、温度以及电源电压变化有较大输出差,而且整个电路不需要增加复杂的功能电路,简化了电路设计。

技术领域

本发明涉及电源管理模块设计技术领域,特别涉及一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路。

背景技术

随着物联网应用的普及,智能交通,智慧城市以及智能家居等应用中无处不在都会应用到MCU控制芯片,其中LDO稳压器(Low Dropout Regulator)是MCU芯片中内部供电的重要电源管理模块。考虑到产品兼容性以及成本等综合因素,无片外电容LDO稳压器是其中主要电源管理设计供电方案。

目前,无片外电容LDO稳压器的电路设计主要包括两种方式:

一种方式下采用NMOS作为功率管的驱动结构,该结构无需片外大电容,同时采用NMOS管作为功率管提高了输出电压电源抑制比,其电路设计图如图1所示。但该电路中为了克服NMOS功率管VGS压降的电路特性缺陷,需增加Charge Pump(电荷泵)电路以提高OTA跨导放大器输出电压,大大的增加了电路设计的复杂度。

另一种方式下采用PMOS作为功率管的无片外电容LDO稳压器的电路,如图2所示,但是在该电路中需增设补偿电路,同时为了增加电路的瞬态响应增加了OTA(operationaltransconductance amplifier)电路,增加了电路设计的复杂度。

因此,需要一种能够降低电路设计复杂度的无片外电容LDO稳压器。

发明内容

本发明旨在提供一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路,以解决现有技术中无片外电容LDO稳压器的电路复杂、成本高的技术问题。

针对上述技术问题,本发明提供如下技术方案:

本发明一部分实施例提供一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路,包括:

镜像对晶体管,包括晶体管MP1和晶体管MP8;晶体管MP1的源极以及晶体管MP8的源极连接电源电压,晶体管MP8的漏极连接LDO稳压器的输出端;

运放单元,其负极输入端与参考电压端连接,其输出端连接晶体管MP1的栅极;

分压电路,所述分压电路的一端与晶体管MP1的漏极连接,另一端接地;所述分压电路的分压点与所述运放单元的正极输入端相连;

对称电路,与偏置电压连接,其一端与晶体管MP1的漏极连接,另一端与晶体管MP8的漏极连接,所述对称电路配置有与晶体管MP8的栅极连接的驱动端;所述对称电路,使晶体管MP8的漏极电压与晶体管MP1的漏极电压保持一致。

本发明一部分实施例中提供的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路,还包括:

第一RC电路,包括串联连接的电阻R1和电容C1;所述第一RC电路的一端与晶体管MP1的栅极连接,另一端与晶体管MP1的漏极连接。

本发明一部分实施例中提供的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路,还包括:

第二RC电路,包括串联连接的电阻R6和电容C2;所述第二RC电路的一端与晶体管MP8的栅极连接,另一端与晶体管MP8的漏极连接。

本发明一部分实施例中提供的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路:

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