[发明专利]一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路

权利要求书

1.一种用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路，其特征在于，包括：

镜像对晶体管，包括晶体管MP1和晶体管MP8；晶体管MP1的源极以及晶体管MP8的源极连接电源电压，晶体管MP8的漏极连接LDO稳压器的输出端；

运放单元，其负极输入端与参考电压端连接，其输出端连接晶体管MP1的栅极；

分压电路，所述分压电路的一端与晶体管MP1的漏极连接，另一端接地；所述分压电路的分压点与所述运放单元的正极输入端相连；

对称电路，与偏置电压连接，其一端与晶体管MP1的漏极连接，另一端与晶体管MP8的漏极连接，所述对称电路配置有与晶体管MP8的栅极连接的驱动端；所述对称电路，使晶体管MP8的漏极电压与晶体管MP1的漏极电压保持一致；

所述对称电路包括晶体管Mp2、晶体管Mp3、晶体管Mp4、晶体管Mp5、晶体管Mn1、晶体管Mn2、晶体管Mn3、晶体管Mn4、电阻R4和电阻R5；其中：

电阻R4的一端与晶体管Mp1的漏极连接，电阻R4的另一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与晶体管MP8的漏极连接；

晶体管Mp2的栅极连接晶体管Mp3的栅极和漏极，晶体管Mp2的漏极连接晶体管Mn1的栅极与漏极，晶体管Mp2的衬底连接电阻R4和电阻R5的公共端；

晶体管Mp3的源极连接晶体管MP8的漏极，晶体管Mp3的衬底连接电阻R4和电阻R5的公共端，晶体管Mp3的栅极和漏极连接晶体管Mn2的漏极；

晶体管Mp4的栅极分别连接晶体管Mp4的漏极、晶体管Mp5的栅极以及晶体管Mn3的漏极，晶体管Mp4的衬底连接电阻R4和电阻R5的公共端VS；

晶体管Mp5的源极连接晶体管MP8的漏极，晶体管Mp5的漏极连接晶体管Mn4的栅极和漏极，晶体管Mp5的衬底连接电阻R4和电阻R5的公共端；

晶体管Mn2和晶体管Mn3成镜像连接，晶体管Mn2和晶体管Mn3的栅极接入偏置电压，晶体管Mn2和晶体管Mn3的漏极分别给镜像连接的晶体管Mp3和Mp4提供偏置电流，晶体管Mn2、晶体管Mn3和晶体管Mn4的源极接地。

2.根据权利要求1所述的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路，其特征在于，还包括：

第一RC电路，包括串联连接的电阻R1和电容C1；所述第一RC电路的一端与晶体管MP1的栅极连接，另一端与晶体管MP1的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路，其特征在于，还包括：

第二RC电路，包括串联连接的电阻R6和电容C2；所述第二RC电路的一端与晶体管MP8的栅极连接，另一端与晶体管MP8的漏极连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路，其特征在于：

所述对称电路还包括晶体管Mn5、晶体管Mn6、晶体管Mp6和晶体管Mp7，其中：

晶体管Mn5的栅极与晶体管Mn1的栅极和漏极连接，晶体管Mn6的栅极与晶体管Mn4的栅极和漏极连接，晶体管Mn1和晶体管Mn4输出偏置电流至晶体管Mn5和晶体管Mn6；晶体管Mn5和晶体管Mn6的源极接地；

晶体管Mp6的漏极连接晶体管Mn6的漏极，晶体管Mn5的漏极连接晶体管Mp7的漏极；

晶体管Mp6的漏极与栅极短接后与晶体管Mp7的栅极连接，为晶体管Mp7提供电流镜像；

晶体管Mp7的漏极作为所述对称电路的电流输出端，连接晶体管Mp8的栅极；晶体管Mp6和晶体管Mp7的源极连接电源电压。

5.根据权利要求4所述的用于MCU控制芯片的无片外电容LDO稳压器电路，其特征在于：

所述运放单元为具有虚短特性的放大器，所述具有虚短特性的放大器为AMP放大器。