[发明专利]改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法以及激光器

权利要求书

1.一种改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上设置阳极膜层，并对所述阳极膜层远离所述基板的一侧进行激光处理，以降低所述阳极膜层的粗糙度。

2.根据权利要求1所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，所述阳极膜层包括多个第一子膜层，对所述阳极膜层远离所述基板的一侧进行激光处理包括：对每一所述第一子膜层远离所述基板的一侧进行激光处理。

3.根据权利要求1所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，所述阳极膜层包括多个第二子膜层以及第三子膜层，所述多个第二子膜层设置在所述第三子膜层以及所述基板之间，对所述阳极膜层远离所述基板的一侧进行激光处理包括：对第三子膜层远离所述基板的一侧进行激光处理。

4.根据权利要求1所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，所述阳极膜层的材质包括氧化铟锌、氧化铟锡、银、碳化硅杂化聚合物、氧化钨中的一种或者多种。

5.根据权利要求1所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，对所述阳极膜层远离所述基板的一侧进行激光处理之后，还包括，对所述阳极膜层进行清洗，以去除所述激光处理产生的颗粒。

6.根据权利要求1所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，所述激光的波长为355nm。

7.根据权利要求6所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，所述激光的能量密度为75mJ/cm²。

8.根据权利要求1所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法，其特征在于，在对所述阳极膜层远离所述基板的一侧进行激光处理之后，还包括，对所述阳极膜层进行刻蚀。

9.一种激光器，其特征在于，应用于权利要求1至8任一项所述的改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法。

10.根据权利要求9所述的激光器，其特征在于，所述激光器为纳秒调Q激光器。