[发明专利]白光发光器件和显示装置在审
申请号: | 202111431423.5 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN116190404A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 徐宸科;张素娟 | 申请(专利权)人: | 厦门市芯颖显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人: | 夏声平 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 发光 器件 显示装置 | ||
本发明实施例公开一种白光发光器件和相对应的显示装置。所述白光发光器件包括:第一至第三颜色发光元件,沿竖直方向依次堆叠且串联连接以形成多色堆叠串联发光结构,所述第一至第三颜色发光元件分别用于发射不同颜色光以混合成白光,且所述第一至第三颜色发光元件中的每一者包括第一半导体层、第二半导体层和位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层;第一电极和第二电极,分别与所述第一和第三颜色发光元件形成欧姆接触;以及隧穿结,位于所述第一与第二颜色发光元件之间以连接所述第一和第二颜色发光元件。本发明实施例采用基于外延隧穿结技术的多色堆叠串联发光结构,应用于制作显示装置时具有易于实现、降低产品成本等优势。
技术领域
本发明涉及发光和显示技术领域,尤其涉及一种白光发光器件以及一种显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)芯片通常是指其长度、宽度及厚度均小于100微米(μm)的半导体发光芯片,其典型地包括已去除生长衬底且无键合基板支撑的外延结构(epitaxial structure),此处的键合基板通常是指通过键合工艺(例如金属键合工艺)与外延结构形成连接的基板。相关技术中,实现Micro-LED显示彩色化存在两种技术方案,其一为采用RGB三基色Micro-LED芯片,其二为采用蓝光Micro-LED芯片辅以荧光粉或量子点等色转换材料实现彩色化。
然而,对于采用RGB三基色Micro-LED芯片之技术方案,RGB三种Micro-LED芯片需要分别转移,导致巨量转移(mass transfer)技术较复杂;而采用荧光材料或量子点进行色转换方式在转换效率低、且色转换层制作工艺较复杂。
发明内容
因此,为克服现有技术存在的至少部分缺陷与不足,本发明实施例提供一种白光发光器件以及一种显示装置。
具体地,一方面,本发明实施例提出的一种白光发光器件,例如包括:第一颜色发光元件、第二颜色发光元件和第三颜色发光元件,沿竖直方向依次堆叠且串联连接以形成多色堆叠串联发光结构,其中所述第一颜色发光元件、所述第二颜色发光元件和所述第三颜色发光元件分别用于发射不同颜色光以混合成白光,且所述第一颜色发光元件、所述第二颜色发光元件和所述第三颜色发光元件中的每一者包括第一半导体层、第二半导体层和位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层;第一电极,与所述第一颜色发光元件形成欧姆接触;第二电极,与所述第三颜色发光元件形成欧姆接触;以及第一隧穿结,位于所述第一颜色发光元件与所述第二颜色发光元件之间以连接所述第一颜色发光元件和所述第二颜色发光元件。
在本发明的一个实施例中,所述白光发光器件还包括:第二隧穿结,位于所述第二颜色发光元件与所述第三颜色发光元件之间以连接所述第二颜色发光元件和所述第三颜色发光元件。
在本发明的一个实施例中,所述第一颜色发光元件、所述第二颜色发光元件和所述第三颜色发光元件分别为蓝色发光元件、绿色发光元件和红色发光元件,从而所述绿色发光元件位于所述蓝色发光元件与所述红色发光元件之间。
在本发明的一个实施例中,所述白光发光器件还包括:第一层间电极,与所述第三颜色发光元件形成欧姆接触;以及第二层间电极,与所述第二颜色发光元件形成欧姆接触;其中,所述第一层间电极与所述第二层间电极键合以连接所述第三颜色发光元件和所述第二颜色发光元件。
在本发明的一个实施例中,所述第一层间电极与所述第二层间电极的形状相同且每一者为多个点状电极或多个条状电极;或者,所述第一层间电极与所述第二层间电极分别为相互垂直的条状电极组以形成垂直网格状连接。
在本发明的一个实施例中,所述第三颜色发光元件与所述第二颜色发光元件之间因所述第一层间电极与所述第二层间电极的厚度所形成的空隙内填充有透明材料。
在本发明的一个实施例中,所述第三颜色发光元件为红色发光元件,所述第二颜色发光元件为绿色发光元件和蓝色发光元件中之一者,且所述一颜色发光元件为绿色发光元件和蓝色发光元件中之另一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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