[发明专利]一种光催化微反应芯片的制备方法在审
| 申请号: | 202111421123.9 | 申请日: | 2021-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN113893798A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
| 发明(设计)人: | 黄丽;张兴 | 申请(专利权)人: | 合臣科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | B01J19/00 | 分类号: | B01J19/00;C03B19/00;C03C3/083;C03C15/00;C03C23/00 |
| 代理公司: | 深圳紫晴专利代理事务所(普通合伙) 44646 | 代理人: | 郭清秀 |
| 地址: | 200000 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光催化 反应 芯片 制备 方法 | ||
1.一种光催化微反应芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:按摩尔百分比组成为Li2CO35~10mol%、TiO21~10mol%、Al2O35~15mol%、SiO265~89mol%称取上述引入物作为原料,均匀混合,形成混合料;
S2:将混合料转移至刚玉坩埚中,将坩埚置于1300~1600℃碳化硅熔炉中溶制并搅拌0.5~1.5h得到玻璃液,然后澄清1h;
S3:将玻璃液倒入预热的铁板上定型,然后迅速转入马弗炉内,马弗炉温度为500~600℃,保温1~10h,之后以10℃/h的速率降至室温,最后将退火后的芯片玻璃加工成片状。
2.根据权利要求1所述的一种光催化微反应芯片的制备方法,其特征在于:在所述S1步骤中,Li2CO3、TiO2、Al2O3、SiO2的纯度大于99.99%。
3.根据权利要求1所述的一种光催化微反应芯片的制备方法,其特征在于:在所述S3步骤中,将得到的芯片玻璃进行激光直写改性和化学选择性腐蚀。
4.根据权利要求3所述的一种光催化微反应芯片的制备方法,其特征在于:所述激光直写改性和化学选择性腐蚀包括以下步骤:
(1):将短脉冲激光聚焦到芯片玻璃内部进行照射改性,并移动焦点在玻璃内部扫描加工出流道和微反应器,短脉冲激光的激光宽度为30fs~10ps的范围内,脉冲能量为10μj,脉冲通过10倍物镜聚焦到芯片玻璃内部进行照射;
(2):将短脉冲激光加工好的芯片玻璃放入1.0%的氢氟酸熔液中在室温下浸泡15min,然后取出清洗干净并烘干;
(3):将氢氟酸处理后的芯片玻璃放入3mol/L的氢氧化钠和3mol/L的氢氧化钾混合碱液中在80℃反应10小时,然后取出清洗干净并烘干,可得到内含流道和微反应器的芯片玻璃。
5.一种光催化微反应芯片的芯片玻璃,其特征在于:由以下摩尔百分比组成:Li2O5~10mol%、TiO21~10mol%、Al2O35~15mol%、SiO265~89mol%。
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