[发明专利]一种n基硅背接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种n基硅背接触太阳能电池，包括：

n型硅片；

位于所述n型硅片正面的扩散层及一层或多层第一钝化层，所述扩散层为P掺杂的n+层；

位于所述n型硅片背面的隧穿层，所述隧穿层为氧化硅；

其特征在于，还包括：

位于所述隧穿层背面的n+型多晶硅层，所述n+型多晶硅层呈点状且阵列分布；

覆盖在n+型多晶硅层背面的一层或多层第二钝化层；

位于所述隧穿层背面的p+型多晶硅层，所述p+型多晶硅层处于点状n+型多晶硅层与所述第二钝化层以外的区域；

覆盖在p+型多晶硅层上的一层或多层第三钝化层；

位于第三钝化层背面的绝缘胶条，所述绝缘胶条处于横向或纵向相邻的两个点状的n+型多晶硅层和第二钝化层之间；

位于第二钝化层背面的点状第一金属浆料，覆盖同一横向或竖向的点状第一金属浆料与绝缘胶条上的第二金属浆料；或贯穿所述第二钝化层具有点状孔，且在所述点状孔内有设置点状第五金属浆料，覆盖同一横向或竖向的点状第五金属浆料与绝缘胶条上的第二金属浆料；所述第二金属浆料作为负极栅线，点状第一金属浆料为烧穿型银浆料；点状第五金属浆料为非烧穿型银浆；

位于第三钝化层背面且相邻的横向或纵向n+型多晶硅层之间的阵列点状第三金属浆料，处于负极栅线平行方向上且覆盖在点状第三金属浆料上的第四金属浆料；或贯穿所述第三钝化层且位于相邻的横向或纵向n+多晶硅层之间具有阵列点状孔，并在所述阵列点状孔内设置有点状第六金属浆料，处于负极栅线平行方向上且覆盖在点状第六金属浆料上的第四金属浆料；所述第四金属浆料作为正极栅线，所述点状第三金属浆料为烧穿型银铝或银硼浆料，所述点状第六金属浆料为非烧穿型银铝或银硼浆料，所述第二金属浆料和第四金属浆料均为锡、铜、银混合膏体浆料。

2.根据权利要求1所述的n基硅背接触太阳能电池，其特征在于，贯穿所述第二钝化层具有点状激光孔，所述激光孔内具有点状第五金属浆料，且所述点状第五金属浆料与n+型多晶硅层直接接触，所述激光孔采用皮秒或纳秒激光消融去除第二钝化层而得；

贯穿所述第三钝化层且位于相邻的纵向或横向n+型多晶硅层之间具有阵列点状激光孔，所述阵列点状激光孔内具有点状第六金属浆料，且所述点状第六金属浆料与p+型多晶硅层直接接触，所述阵列点状激光孔采用皮秒或纳秒激光消融去除第三钝化层而得。

3.根据权利要求1所述的n基硅背接触太阳能电池，其特征在于，所述n+型多晶硅层和第二钝化层与所述p+型多晶硅层和第三钝化层之间具有间隙沟槽；

位于所述间隙沟槽内的一层或多层第四钝化层；

间隙沟槽的宽度为1-500微米。

4.根据权利要求1所述的n基硅背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的面积大于n+型多晶硅层的面积，使得第二钝化层完全覆盖n+型多晶硅层表面；

所述的第三钝化层的面积大于p+型多晶硅层的面积，使得第三钝化层完全覆盖p+型多晶硅层表面。

5.根据权利要求1所述的n基硅背接触太阳能电池，其特征在于，所述n+型多晶硅层和/或第二钝化层的点状规格可为圆形、多边形；

点状的n+型多晶硅层和第二钝化层的面积为0.03-3平方毫米。