[发明专利]互连结构的制作方法

说明书

本公开实施例提供一种互连结构的制作方法，包括：依次形成覆盖基底的第一介质层、蚀刻停止层和第二介质层；在对准基底中电连接结构的位置，形成贯穿第二介质层的凹槽；其中，凹槽的底部暴露蚀刻停止层；从凹槽的底部形成贯穿蚀刻停止层和第一介质层的通孔，以显露电连接结构；在形成通孔的同时，形成贯穿第二介质层和蚀刻停止层的盲孔；在通孔中形成与电连接结构电连接的导电柱，并在盲孔中形成支撑柱。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种互连结构的制作方法。

背景技术

随着半导体技术的飞速发展，半导体器件的特征尺寸不断减小。为了实现更高的集成度，本领域通常将多个裸芯片或者衬底通过键合的方式堆叠起来，使多个裸芯片或者衬底形成互连结构，从而实现一个系统或者某个功能在三维结构上的集成。

在晶圆混合键合技术中，为了形成金属密度均匀的键合界面，需要采用一次连接孔一次虚拟孔/盲孔，一共两次曝光和刻蚀将金属连线引到晶圆表面，为了在尽量小的芯片面积里植入更多的引线点，需要将引线的线宽尽量做小，这样就需要使用适合作小线宽的短波长的KrF甚至ArF光刻机进行曝光，以及使用复杂的掩膜层做刻蚀工艺的阻挡层，造成高昂的成本和繁杂的工艺步骤。如何优化制作工艺，降低工艺成本成为本领域亟待解决的问题。

发明内容

本公开实施例提供一种互连结构的制作方法，包括：

依次形成覆盖基底的第一介质层、蚀刻停止层和第二介质层；

在对准所述基底中电连接结构的位置，形成贯穿所述第二介质层的凹槽；其中，所述凹槽的底部暴露所述蚀刻停止层；

从所述凹槽的底部形成贯穿所述蚀刻停止层和所述第一介质层的通孔，以显露所述电连接结构；

在形成所述通孔的同时，形成贯穿所述第二介质层和所述蚀刻停止层的盲孔；

在所述通孔中形成与所述电连接结构电连接的导电柱，并在所述盲孔中形成支撑柱。

在一些实施例中，所述第一介质层包括第一子层和第二子层；所述形成覆盖基底的第一介质层，包括：形成覆盖所述基底的第一子层；形成覆盖所述第一子层的第二子层；

所述从所述凹槽的底部形成贯穿所述蚀刻停止层和所述第一介质层的通孔，以显露所述电连接结构，包括：

在所述通孔的预设形成位置，对所述凹槽的底部显露的所述蚀刻停止层进行第一蚀刻，直至显露所述第二子层；

在所述第一蚀刻后，在所述通孔的预设形成位置，对显露的所述第二子层进行第二蚀刻，直至显露所述第一子层；

在所述第二蚀刻后，在所述通孔的预设形成位置，对显露的所述第一子层进行第三蚀刻，直至显露所述电连接结构。

在一些实施例中，所述从所述凹槽的底部形成贯穿所述蚀刻停止层和所述第一介质层的通孔，以显露所述电连接结构，包括：

在所述通孔的预设形成位置，对所述凹槽的底部显露的所述蚀刻停止层进行第一蚀刻，直至显露所述第一介质层；

在所述第一蚀刻后，在所述通孔的预设形成位置，对显露的所述第一介质层进行第二蚀刻，以显露所述电连接结构；

所述在形成所述通孔的同时，形成贯穿所述第二介质层和所述蚀刻停止层的盲孔，包括：

在进行所述第一蚀刻的同时，在所述盲孔的预设形成位置，蚀刻至少部分所述第二介质层；

在进行所述第二蚀刻的同时，在所述盲孔的预设形成位置，蚀刻剩余的所述第二介质层和所述蚀刻停止层；其中，所述盲孔的底部位于所述第一介质层内。

在一些实施例中，在形成所述凹槽之前，所述方法还包括：