[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 202111393204.2 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN113964172A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 盖人荣;王晶;刘永辉;许睿;王博 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 雷思鸣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的发光单元、第一光电传感单元、第二光电传感单元和第一电路;所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元并联至所述第一电路;
所述发光单元用于向远离所述衬底基板的一侧发光;
所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元均用于根据来自远离所述衬底基板的一侧的光生成电信号,并将所述电信号传输至所述第一电路;
所述第一电路用于连接指纹识别芯片,以及将接收到的所述电信号传输至所述指纹识别芯片。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元中的每个光电传感单元均包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的第一电极、光电传感层与第二电极;
所述第一光电传感单元的第一电极与所述第一电路连接;
所述第二光电传感单元的第一电极通过所述第一光电传感单元的第一电极与所述第一电路连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板上的连接电极;
所述第二光电传感单元的第一电极通过所述连接电极与所述第一光电传感单元的第一电极连接;所述第一电极和所述连接电极为同层结构。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述发光单元包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的第三电极、电致发光层与第四电极;
所述第二电极和所述第四电极连接为公共电极;所述连接电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元中的每个光电传感单元包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的第一电极、光电传感层与第二电极;
所述第一光电传感单元的第一电极与所述第一电路连接;
所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板上的第二电路;所述第二光电传感单元的第一电极通过所述第二电路与所述第一电路连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电路包括:位于所述衬底基板上的第一连接部,所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元并联至所述第一电路中的第二连接部;所述第一连接部与所述第二连接部为同层结构。
7.根据权利要求1至6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电路包括:薄膜晶体管TFT,所述TFT包括:栅极、有源层、第五电极和第六电极;
所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元并联至所述第五电极或所述有源层,所述第六电极用于连接指纹识别芯片。
8.根据权利要求1至6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一光电传感单元和所述第二光电传感单元中的每个光电传感单元均包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的第一电极、第一注入层、第一传输层、光电传感层、第二传输层、第二注入层和第二电极;
所述发光单元包括:沿远离所述衬底基板的方向依次排布的第三电极、第三注入层、第三传输层、电致发光层、第四传输层、第四注入层和第四电极;
所述阵列基板满足以下至少一个条件:所述电致发光层与所述光电传感层为同层结构;所述第一注入层与所述第三注入层为同层结构;所述第一传输层与所述第三传输层为同层结构;所述第二传输层与所述第四传输层为同层结构;以及,所述第二注入层与所述第四注入层为同层结构。
9.根据权利要求1至6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述光电传感单元为有机光电二极管OPD单元。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:权利要求1至9任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的