[发明专利]显示面板制备方法、显示面板和显示装置

说明书

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板制备方法、显示面板和显示装置，解决了使用CVD的方法形成的无机膜层容易在阶梯处发生断裂，从而造成水氧入侵，封装效果较差的问题。本申请实施例提供的显示面板制备方法，包括提供表面具有凹槽的阵列基板，然后采用原子层沉积法，在所述阵列基板的表面制备第一封装层，所述第一封装层完全包覆所述凹槽的表面，即第一封装层在凹槽表面的阶梯覆盖性和包裹性好，能够更好的覆盖凹槽的所有表面，避免了第一封装层在凹槽表面产生断裂，从而防止水氧侵入显示面板内部，提高了封装效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件的封装膜层主要是使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的方法来形成无机膜层。

为了提高显示装置的屏占比，一般在显示装置的显示区设置通孔，进而在通孔内安装摄像头等器件。为了防止在显示区形成通孔时，通孔边缘会产生裂纹，通常会在通孔和显示区之间凹槽。然而，使用CVD的方法形成的无机膜层容易在凹槽表面发生断裂，从而造成水氧入侵，封装效果较差。另外，如果水氧入侵到膜层内部，会导致OLED的有机发光层被氧化侵蚀，在模组点灯成像下会出现黑斑。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板制备方法、显示面板和显示装置，解决了使用CVD的方法形成的无机膜层容易在凹槽表面发生断裂，从而造成水氧入侵，封装效果较差，会导致显示区产生黑斑的问题。

第一方面，本申请一实施例提供的一种显示面板制备方法，包括：提供阵列基板，阵列基板的表面具有凹槽，凹槽的槽体在阵列基板上的正投影的面积大于凹槽的开口在阵列基板上的正投影的面积；采用原子层沉积法，在阵列基板的表面制备第一封装层，第一封装层完全包覆凹槽的表面，即第一封装层在凹槽表面的阶梯覆盖性和包裹性好，能够更好的覆盖凹槽的所有表面，避免了第一封装层在凹槽表面产生断裂，从而防止水氧侵入显示面板内部，提高了封装效果。

在本申请一实施例中，在阵列基板的表面制备第一封装层的步骤包括：在腔室压力范围为1000mtorr至2000mtorr、腔室温度范围为80℃至110℃、载台温度范围为70℃至95℃、极板间距范围为20mm至30mm、射频功率范围为5000瓦特至8000瓦特的条件下，通入前驱体，在阵列基板的表面沉积单原子，以形成第一封装层，从而使由单原子形成的第一封装层具备更好的包覆性和阶梯覆盖性。

在本申请一实施例中，前驱体包括硅系气体、一氧化氮及氧气中的至少一种，硅系气体通入量范围为2000sccm至4000sccm，一氧化氮通入量范围为1000sccm至3000sccm，氧气通入量范围为1500sccm至3000sccm。通过选择合适的前驱气体和合适的气体通入量，提高了形成第一封装层的效率。

第二方面，本申请一实施例提供的一种显示面板，由第一方面提及的制备方法制备而成。

在本申请一实施例中，显示面板包括显示区、开孔区以及位于显示区和开孔区之间的过渡区，其中，过渡区包括阵列基板，阵列基板的表面设有多个凹槽，多个凹槽沿开孔区向显示区的延伸方向间隔排布；在开孔区向显示区的延伸方向上，凹槽的槽体的最大尺寸大于凹槽的开口的尺寸，因此，第一封装层能够更好的覆盖多个凹槽，避免了第一封装层在多个凹槽表面产生断裂，从而防止水氧侵入显示面板内部，提高了封装效果。

在本申请一实施例中，在阵列基板至第一封装层的方向上，凹槽的截面为倒梯形，提高凹槽的断裂概率，阻止切割应力向显示区延伸。

在本申请一实施例中，在阵列基板至第一封装层的方向上，凹槽的截面为梯形；优选的，梯形的底边夹角大于或等于45度。该结构有助于提高第一封装层的制备效果，提高封装效果。