[发明专利]一种高速热盘密封腔开启结构在审
| 申请号: | 202111364681.6 | 申请日: | 2021-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN114068367A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 魏猛;郭聪;张也 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯达科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 成都华复知识产权代理有限公司 51298 | 代理人: | 李俊 |
| 地址: | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高速 密封 开启 结构 | ||
本发明公开了一种高速热盘密封腔开启结构,包括工作台,所述工作台上固定安装有晶圆加工箱,所述工作台上安装有两组支撑座,所述支撑座上固定安装有电动推杆,所述电动推杆活塞杆一端连接有传动杆,所述传动杆的端部通过连接件连接有遮光板,所述遮光板上安装有第一密封圈,所述晶圆加工箱的一侧开设有取片口,所述第一密封圈紧密贴合在取片口上,本发明提高了加工晶圆的箱体侧部的取片口的密封性,也增加了排放有害气体的管道与晶圆加工箱之间、管道与管道之间的密封性,在很大程度上减少了有害气体的泄漏,提高了设备作业时的安全性,有利于工作人员的身体健康。
技术领域
本发明涉及半导体晶圆加工技术领域,具体为一种高速热盘密封腔开启结构。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅,在涂敷光刻胶之前,将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀,用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上,把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面,然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用,光刻胶在基片表面均匀地展开,多余的光刻胶被甩掉,获得一定厚度的光刻胶膜,光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制,晶圆背面研磨减薄后,表面会形成一层损伤层,且翘曲度高,容易破片。为了解决这些问题,需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀,去除损伤层,释放晶圆应力,减小翘曲度及使表面粗糙化。
半导体晶圆在加工时会产生有害气体,加工晶圆的箱体侧部的取片口的密封性不好,造成有害气体的泄漏,而且用于排放有害气体的管道与晶圆加工箱之间、管道与管道之间的密封性也不太好,也会造成有害气体的泄漏,降低了设备作业时的安全性,不利于工作人员的身体健康,因此我们需要提出一种高速热盘密封腔开启结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高速热盘密封腔开启结构,提高了加工晶圆的箱体侧部的取片口的密封性,也增加了排放有害气体的管道与晶圆加工箱之间、管道与管道之间的密封性,在很大程度上减少了有害气体的泄漏,提高了设备作业时的安全性,有利于工作人员的身体健康,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种高速热盘密封腔开启结构,包括工作台,所述工作台上固定安装有晶圆加工箱,所述工作台上安装有两组支撑座,所述支撑座上固定安装有电动推杆,所述电动推杆活塞杆一端连接有传动杆,所述传动杆的端部通过连接件连接有遮光板,所述遮光板上安装有第一密封圈,所述晶圆加工箱的一侧开设有取片口,所述第一密封圈紧密贴合在取片口上,可将晶圆加工时产地的有害气体封堵在晶圆加工箱内部,所述晶圆加工箱上通过第一密封件连接有第一抽气管,所述第一抽气管上通过第二密封件连接第二抽气管,所述第二密封件的内部设置有过滤板。
优选的,所述工作台上安装有过渡块,所述过渡块上开设有第一通孔,所述传动杆插接于第一通孔的内部。
优选的,所述连接件包括连杆活动头,所述连杆活动头上通过定位销转动连接有连接片,所述连接片上安装有推动杆,所述推动杆上通过第一螺栓安装有固定片,所述遮光板转动安装于两组固定片之间。
优选的,所述第一密封件固定连接于第一抽气管的端部,所述第一密封件通过第二螺栓固定安装于工作台上。
优选的,所述第一密封件上开设有第四通孔,所述工作台上开设有第二螺纹盲孔,所述第二螺栓的一端穿过第四通孔螺纹安装于第二螺纹盲孔的内部。
优选的,所述第一密封件的下端固定连接有第三密封圈,所述工作台上开设有凹槽,所述第三密封圈卡接于凹槽的内部。
优选的,所述第二密封件包括第一连接盘和第二连接盘,所述过滤板通过螺丝卡接固定于第一连接盘和第二连接盘的内部,所述过滤板设置为活性炭过滤板,对晶圆加工时产生的有害气体起到过滤的作用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





