[发明专利]一种高速热盘密封腔开启结构在审
| 申请号: | 202111364681.6 | 申请日: | 2021-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN114068367A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 魏猛;郭聪;张也 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯达科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 成都华复知识产权代理有限公司 51298 | 代理人: | 李俊 |
| 地址: | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高速 密封 开启 结构 | ||
1.一种高速热盘密封腔开启结构,包括工作台(1),其特征在于:所述工作台(1)上固定安装有晶圆加工箱(2),所述工作台(1)上安装有两组支撑座(5),所述支撑座(5)上固定安装有电动推杆(6),所述电动推杆(6)活塞杆一端连接有传动杆(7),所述传动杆(7)的端部通过连接件连接有遮光板(12),所述遮光板(12)上安装有第一密封圈(13),所述晶圆加工箱(2)的一侧开设有取片口(16),所述第一密封圈(13)紧密贴合在取片口(16)上,可将晶圆加工时产地的有害气体封堵在晶圆加工箱(2)内部,所述晶圆加工箱(2)上通过第一密封件(17)连接有第一抽气管(3),所述第一抽气管(3)上通过第二密封件(18)连接第二抽气管(4),所述第二密封件(18)的内部设置有过滤板(23)。
2.根据权利要求1所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述工作台(1)上安装有过渡块(8),所述过渡块(8)上开设有第一通孔(14),所述传动杆(7)插接于第一通孔(14)的内部。
3.根据权利要求1所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述连接件包括连杆活动头(9),所述连杆活动头(9)上通过定位销转动连接有连接片(10),所述连接片(10)上安装有推动杆(11),所述推动杆(11)上通过第一螺栓(15)安装有固定片,所述遮光板(12)转动安装于两组固定片之间。
4.根据权利要求1所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第一密封件(17)固定连接于第一抽气管(3)的端部,所述第一密封件(17)通过第二螺栓(27)固定安装于工作台(1)上。
5.根据权利要求4所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第一密封件(17)上开设有第四通孔(28),所述工作台(1)上开设有第二螺纹盲孔(29),所述第二螺栓(27)的一端穿过第四通孔(28)螺纹安装于第二螺纹盲孔(29)的内部。
6.根据权利要求5所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第一密封件(17)的下端固定连接有第三密封圈(30),所述工作台(1)上开设有凹槽(31),所述第三密封圈(30)卡接于凹槽(31)的内部。
7.根据权利要求1所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第二密封件(18)包括第一连接盘(21)和第二连接盘(22),所述过滤板(23)通过螺丝卡接固定于第一连接盘(21)和第二连接盘(22)的内部,所述过滤板(23)设置为活性炭过滤板,对晶圆加工时产生的有害气体起到过滤的作用。
8.根据权利要求7所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第一连接盘(21)上开设有第三通孔(24),所述第二连接盘(22)上开设有第一螺纹盲孔(25),所述螺丝的一端穿过第三通孔(24)螺纹安装于第一螺纹盲孔(25)的内部。
9.根据权利要求8所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第一抽气管(3)上开设有第二通孔(20),所述第二连接盘(22)的下端固定连接有第二密封圈(26),所述第二密封圈(26)插接于第二通孔(20)的内部,所述第二连接盘(22)焊接于第一抽气管(3)上。
10.根据权利要求1所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述工作台(1)上开设有出气孔,所述工作台(1)的内顶部固定安装有两组抽风机(19),所述抽风机(19)位于出气孔的下端,所述第一抽气管(3)的端部和出气孔对齐设置。
11.根据权利要求1所述的一种高速热盘密封腔开启结构,其特征在于:所述第一抽气管(3)设置为U形的抽气管,且第一抽气管(3)的边部开设有圆弧状的倒角,便于有害气体流动,所述第二抽气管(4)和第一抽气管(3)垂直安装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





