[发明专利]一种获取衍射近场分布的方法在审
| 申请号: | 202111335555.8 | 申请日: | 2021-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN114092490A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
| 发明(设计)人: | 李梓棋;韦亚一;董立松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G06T7/11 | 分类号: | G06T7/11;G06T7/60;G06K9/62;G06V10/774 |
| 代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 王首峰 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 获取 衍射 近场 分布 方法 | ||
1.一种获取衍射近场分布的方法,其特征在于,包括:
确定待获取衍射近场分布的目标掩模图形,并根据图形类型分割所述目标掩模图形,得到组成所述目标掩模图形的目标分割图形;
确定与所述目标分割图形对应的目标核矩阵,并根据所述目标分割图形和所述目标核矩阵,得到与所述目标分割图形对应的目标区域衍射近场分布;所述目标核矩阵中每一列元素与所述目标分割图形经重新排列后的像素位置对应,且表示与所述像素位置对应近场强度的权重;
拼接所有目标区域衍射近场分布,获取所述目标掩模图形的衍射近场分布。
2.根据权利要求1所述的获取衍射近场分布的方法,其特征在于,所述图形类型为曼哈顿图形,且包括凸角部分、凹角部分、垂直边部分和水平边部分中的至少一种;相应的,所述根据图形类型分割所述目标掩模图形,得到组成所述目标掩模图形的目标分割图形,包括:
根据至少一种所述曼哈顿图形分割所述目标掩模图形,得到的所述目标分割图形包括所述凸角部分、所述凹角部分、所述垂直边部分和所述水平边部分中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的获取衍射近场分布的方法,其特征在于,所述根据所述目标分割图形和所述目标核矩阵,得到与所述目标分割图形对应的目标区域衍射近场分布,包括:
对所述目标分割图形进行矩阵化处理,得到目标分割图形矩阵;所述目标分割图形矩阵的行数为1,列数为所述目标分割图形对应的像素总数,所述目标分割图形矩阵的元素表示所述目标分割图形对应像素位置透光或遮光;
根据如下公式计算与所述目标分割图形对应的目标区域衍射近场分布:
X1·A1=Y1
其中,X1为所述目标分割图形矩阵、A1为所述目标核矩阵、·表示相乘计算、Y1为所述目标区域衍射近场分布。
4.根据权利要求1至3任一所述的获取衍射近场分布的方法,其特征在于,在所述确定待获取衍射近场分布的目标掩模图形的步骤之前,所述获取衍射近场分布的方法还包括:
确定是否存在核矩阵;所述核矩阵中每一列元素与训练集图形经重新排列后的像素位置对应,且表示与所述像素位置对应近场强度的权重;
若存在所述核矩阵,则执行所述确定待获取衍射近场分布的目标掩模图形,以及后续步骤。
5.根据权利要求4所述的获取衍射近场分布的方法,其特征在于,所述获取衍射近场分布的方法还包括:
若不存在所述核矩阵,则获取训练集图形,并计算所述训练集图形的整体基准衍射近场分布;
分割所述训练集图形,及与其对应的整体基准衍射近场分布,得到与分割后的掩膜图形,及与掩膜图形位置对应区域的基准衍射近场分布;
根据所述掩膜图形和所述基准衍射近场分布计算所述核矩阵。
6.根据权利要求5所述的获取衍射近场分布的方法,其特征在于,所述根据所述掩膜图形和所述基准衍射近场分布计算所述核矩阵,包括:
对所述掩膜图形进行矩阵化处理,得到掩膜图形矩阵;所述掩膜图形矩阵的行数为1,列数为所述掩膜图形对应的像素总数,所述掩膜图形矩阵的元素表示所述掩膜图形对应像素位置透光或遮光;
对所述基准衍射近场分布进行矩阵化处理,得到基准衍射近场分布矩阵;所述基准衍射近场分布矩阵的行数为1,列数为与掩膜图形位置对应区域的像素总数,所述基准衍射近场分布矩阵的元素表示像素位置的近场强度;
根据如下公式计算得到所述核矩阵:
A=(XTX)-1XTY
其中,A为所述核矩阵、X为所述掩膜图形矩阵、XT为X的转置矩阵、(XTX)-1表示XTX的逆、Y为所述基准衍射近场分布矩阵。
7.根据权利要求5所述的获取衍射近场分布的方法,其特征在于,获取所述整体基准衍射近场分布,包括:
根据电磁场严格计算法计算得到所述整体基准衍射近场分布。
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