[发明专利]MOS管驱动电路有效
| 申请号: | 202111328659.6 | 申请日: | 2021-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN114039589B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 蒋忠伟;周雨成 | 申请(专利权)人: | 深圳达人高科电子有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人: | 李捷 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mos 驱动 电路 | ||
本发明提供一种MOS管驱动电路,其包括电源、第一信号产生模块、芯片、能量存储模块、控制模块、驱动模块。电源输出第一电压,第一信号产生模块产生第一信号。基于第一信号,芯片输出第一驱动信号。基于能量存储模块输出的驱动电压,芯片输出第二驱动信号。能量存储模块接收第一驱动信号,基于第一驱动信号,能量存储模块接收并储存第一电压。基于第一驱动信号和第二驱动信号,能量存储模块将第一电压转换为第二电压,能量存储模块储存第二电压。控制模块输出控制信号,基于控制信号和第二电压,驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极,第三驱动信号控制MOS管组导通与截止,从而MOS管组控制电池组输出电压于负载。
技术领域
本发明涉及电路领域,特别涉及一种驱动电路。
背景技术
在现代社会中,电子装置需要对供电电源进行开关控制。现有的驱动电路常常通过专用芯片对高侧MOS管进行控制,因为专用芯片的成本较高,适用范围较窄,从而现有的驱动电路存在成本较高的技术问题。
故需要提供一种MOS管驱动电路来解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供一种MOS管驱动电路,有效解决了现有的驱动电路成本较高的技术问题。
本发明提供一种MOS管驱动电路,其包括:
电源,用于输出第一电压;
第一信号产生模块,用于产生第一信号;
芯片,其接收所述第一信号,基于所述第一信号,其输出所述第一驱动信号,基于能量存储模块输出的驱动电压,所述芯片输出所述第二驱动信号;
所述能量存储模块,其接收所述第一驱动信号,基于所述第一驱动信号,所述能量存储模块接收并储存所述第一电压,基于所述第一驱动信号和所述第二驱动信号,所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压,所述能量存储模块储存所述第二电压;
控制模块,用于输出控制信号;以及,
驱动模块,基于所述控制信号和所述能量存储模块释放的所述第二电压,所述驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极,所述第三驱动信号用于控制所述MOS管组导通与截止,从而MOS管组控制电池组输出电压于负载;
所述芯片包括输入管脚、低侧输出管脚,所述能量存储模块包括第一MOS管和第一电容,所述输入管脚连接所述第一信号产生模块,所述输入管脚用于接收所述第一信号,所述低侧输出管脚连接所述第一MOS管的栅极,所述低侧输出管脚用于输出所述第一驱动信号,所述第一MOS管的源极接地,第一MOS管的漏极连接所述第一电容,所述第一电容连接电源;
当所述低侧输出管脚输出高电平的所述第一驱动信号时,所述第一MOS管的栅极接收高电平的所述第一驱动信号,所述第一MOS管导通,从而所述第一电容接收并存储所述第一电压;
所述芯片包括高侧输出管脚、高侧浮动绝对电压管脚、高侧浮动偏移电压管脚,所述能量存储模块还包括第二MOS管、第二电容,所述第二MOS管的源极连接所述第一电容,所述第二MOS管的漏极连接所述第二电容的一端,所述第二电容的另一端与所述第一电容连接,所述第二MOS管的栅极连接所述高侧输出管脚,所述高侧输出管脚用于输出所述第二驱动信号;所述高侧浮动绝对电压管脚连接所述第一电容的一端,所述高侧浮动绝对电压管脚用于接收所述驱动电压;所述高侧浮动偏移电压管脚连接所述第一电容的另一端,所述高侧浮动偏移电压管脚用于隔断所述第一电容与所述第二MOS管的栅极;
当所述低侧输出管脚输出低电平的第一驱动信号时,所述第一MOS管的栅极接收低电平的第一驱动信号,所述第一MOS管截止;
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