[发明专利]MOS管驱动电路

权利要求书

1.一种MOS管驱动电路，其特征在于，其包括：

电源，用于输出第一电压；

第一信号产生模块，用于产生第一信号；

芯片，其接收所述第一信号，基于所述第一信号，其输出第一驱动信号，基于能量存储模块输出的驱动电压，所述芯片输出第二驱动信号；

所述能量存储模块，其接收所述第一驱动信号，基于所述第一驱动信号，所述能量存储模块接收并储存所述第一电压，基于所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，所述能量存储模块储存所述第二电压；

控制模块，用于输出控制信号；以及，

驱动模块，基于所述控制信号和所述能量存储模块释放的所述第二电压，所述驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极，所述第三驱动信号用于控制所述MOS管组导通与截止，从而MOS管组控制电池组输出电压于负载；

所述芯片包括输入管脚、低侧输出管脚，所述能量存储模块包括第一MOS管和第一电容，所述输入管脚连接所述第一信号产生模块，所述输入管脚用于接收所述第一信号，所述低侧输出管脚连接所述第一MOS管的栅极，所述低侧输出管脚用于输出所述第一驱动信号，所述第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接所述第一电容，所述第一电容连接电源；

当所述低侧输出管脚输出高电平的所述第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收高电平的所述第一驱动信号，所述第一MOS管导通，从而所述第一电容接收并存储所述第一电压；

所述芯片包括高侧输出管脚、高侧浮动绝对电压管脚、高侧浮动偏移电压管脚，所述能量存储模块还包括第二MOS管、第二电容，所述第二MOS管的源极连接所述第一电容，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端与所述第一电容连接，所述第二MOS管的栅极连接所述高侧输出管脚，所述高侧输出管脚用于输出所述第二驱动信号；所述高侧浮动绝对电压管脚连接所述第一电容的一端，所述高侧浮动绝对电压管脚用于接收所述驱动电压；所述高侧浮动偏移电压管脚连接所述第一电容的另一端，所述高侧浮动偏移电压管脚用于隔断所述第一电容与所述第二MOS管的栅极；

当所述低侧输出管脚输出低电平的第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收低电平的第一驱动信号，所述第一MOS管截止；

当所述第一电容输出所述驱动电压时，所述高侧浮动绝对电压管脚接收所述驱动电压，所述高侧输出管脚输出所述第二驱动信号，基于所述第二驱动信号，所述第二MOS管导通，从而所述第一电容输出所述第一电压，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，从而所述第二电容接收并储存所述第二电压；

所述能量存储模块还包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接电源，所述第一二极管的负极连接所述第一电容；所述第二二极管的正极连接第一电容，所述第二二极管的负极连接第二电容；

所述驱动模块包括第一驱动单元和第二驱动单元，所述第二驱动单元包括输入端、输出端、控制端，所述第一驱动单元的一端连接所述控制模块，所述第一驱动单元的另一端来连接所述控制端，所述输入端连接所述第二电容，所述输出端连接所述MOS管组的栅极，用于基于所述控制信号和所述第二电容释放的所述第二电压，所述第二驱动单元输出所述第三驱动信号于所述MOS管组的栅极并对所述第三驱动信号进行电压跟随；

所述第一驱动单元包括第一光耦和第二光耦，所述第二驱动单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述MOS管组包括第三MOS管和第四MOS管，所述第一光耦输入端的正极连接控制模块，所述第一光耦输入端的负极接地，所述第一光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第一光耦输出端的发射极分别连接所述第一三极管、所述第二三极管的基极；

所述第二光耦输入端的正极连接控制模块，所述第二光耦输入端的负极接地，所述第二光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第二光耦输出端的发射极分别连接所述第三三极管、所述第四三极管的基极；

所述第一三极管的集电极连接第二电容，所述第一三极管的发射极分别连接所述第三MOS管的栅极和所述第二三极管的发射极，所述第二三极管的集电极接地，所述第四三极管的集电极连接第二电容，所述第四三极管的发射极连接所述第四MOS管的栅极和所述第三三极 管的发射极，所述第三三极管的集电极接地；

所述能量存储模块包括滤波单元，所述滤波单元用于对所述第一电压进行滤波，所述滤波单元包括滤波电容，所述滤波电容的一端连接于所述电源与所述第一二极管的正极之间，所述滤波电容的另一端接地。