[发明专利]一种纳米银膜制备工艺及纳米银膜制作设备

权利要求书

1.一种纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤：

S1、将可溶性材料制成的基膜平整的固定在磁控溅射设备上，张力锁紧；

S2、将金属银通过磁控溅射工艺均匀附着在可溶性材料制成的基膜上；

S3、将附着银膜的基膜在浸膜液中将基膜浸除，获得银膜；

S4、将银膜干燥后收取。

2.根据权利要求1所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中，所述基膜在20-30kgf/m张力作用下，表面无肉眼可见褶皱。

3.根据权利要求1所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中的可溶性材料为水溶性材料，所述步骤S3中的浸膜液为去离子水。

4.根据权利要求3所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述水溶性材料为直链淀粉、羧甲基纤维素钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮的其中一种。

5.根据权利要求1所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中，可溶性材料为聚偏氟乙烯，所述步骤S3中的浸膜液为N-甲基吡咯烷酮。

6.根据权利要求1所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S2中，金属银附着在基膜的厚度在20nm-2000nm之间。

7.根据权利要求3所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述去离子水的电导率5μs/cm以下，所述去离子水的温度为60-95℃。

8.根据权利要求4所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述水溶性材料为直链淀粉时，所述去离子水的温度为70-95℃；所述水溶性材料为聚乙烯醇时，所述去离子水的温度为65-85℃；所述水溶性材料为羧甲基纤维素钠时，所述去离子水的温度为10-80℃；所述水溶性材料为聚乙烯吡咯烷酮时，所述去离子水的温度为10-65℃。

9.根据权利要求3所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S4中的银膜干燥方式为自然晾干、烘干或风干。

10.根据权利要求3所述的纳米银膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S4中的干燥是在真空环境下进行的。

11.一种实现权力要求1-10任意一项所述的纳米银膜制备工艺的纳米银膜制备设备，包括磁控溅射设备，其特征在于，所述纳米银膜制备设备还包括浸膜装置、输送装置、烘干装置、和收纳装置，所述浸膜装置与输送装置连接，所述输送装置上设有烘干装置，所述输送装置与收纳装置连接。

12.根据权力要求11所述的纳米银膜制备设备，其特征在于，所述浸膜装置包括液体循环系统、浸膜箱、浸膜液，所述浸膜箱上设有加热装置，所述浸膜液盛装在浸膜箱中，所述浸膜液能够溶解可溶性材料，所述液体循环系统能使浸膜箱中的浸膜液流动。

13.根据权力要求12所述的纳米银膜制备设备，其特征在于，将可溶性材料制成的基膜固定在磁控溅射设备上，将金属银通过磁控溅射工艺均匀附着在可溶性材料制成的基膜上，将附着银膜的基膜浸入浸膜装置，浸除基膜获得银膜，银膜通过输送装置送入烘干装置进行干燥，干燥后的银膜通过收纳装置收集。