[发明专利]一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法有效
| 申请号: | 202111325780.3 | 申请日: | 2021-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN114247724B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 孔文;汪明华;马兆军;周琦;王庆宝;武润泽;刘倩;宋海彤;刘兆强;贾雪琪 | 申请(专利权)人: | 山东盖特航空科技有限公司 |
| 主分类号: | B09B3/00 | 分类号: | B09B3/00;B09B5/00 |
| 代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
| 地址: | 250119 山东省济南市天桥*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 脉冲 冲击 销毁 flash 芯片 系统 方法 | ||
本发明公开了一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法,所述系统包括:脉冲发生电路,用于产生脉冲方波;电流监测电路,用于感应销毁电流,并对控制开关电路进行控制;控制开关电路,通过控制MOS管的通断,使脉冲方波反复作用于Flash芯片。还包括销毁电压,所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。本发明的系统所需的销毁电压低,只需系统常用的28V即可,简化了电路设计。具备电流监测功能,避免芯片完全销毁后产生的过流损坏控制电路。多芯片销毁过程中通过脉冲可以精准控制,不会出现错漏,提高了电路可靠性。
技术领域
本发明涉及多脉冲技术领域,特别是涉及一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法。
背景技术
本部分的陈述仅仅是提供了与本发明相关的背景技术信息,不必然构成在先技术。
现有芯片销毁电路多采用高电压持续供电的方法,通过芯片内部热积累达到使芯片失效的目的。为了减少热积累时间,往往还需要加入升压电路将电压升至80V或更高,电路设计复杂。芯片烧穿后电流急剧增大,可能导致控制电路覆铜烧毁等故障,在多芯片销毁过程时导致后续芯片不能有效烧毁,存在可靠性隐患。
因此亟需一种一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法,其能够通过脉冲控制,反复对芯片施加销毁电压,在芯片内部形成多条击穿通道,达到使芯片失效的目的。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
第一方面,本发明提供一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,包括:
脉冲发生电路,用于产生脉冲方波;
电流监测电路,用于感应销毁电流,并对控制开关电路进行控制;
控制开关电路,通过控制MOS管的通断,使脉冲方波反复作用于Flash芯片。
进一步地,还包括销毁电压,所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。
进一步地,所述脉冲发生电路,包括脉冲发生器与移位寄存器。
进一步地,所述脉冲发生器产生方波后进入移位寄存器,生成循环选通信号。
进一步地,所述电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流。
进一步地,所述电流监测电路通过Ctrl信号与Sel信号作用于控制开关电路。
进一步地,所述控制开关电路包括多个控制开关,通过循环选通控制开关,使Flash芯片循环接受脉冲冲击。
进一步地,所述控制开关由Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用。
进一步地,所述控制开关电路在Flash芯片销毁后断开销毁电压。
第二方面,本发明提供一种多脉冲冲击销毁Flash芯片方法,包括:
利用销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚;
电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流;
通过Ctrl信号与Sel信号对控制开关电路的多个控制开关进行循环选通控制,从而使Flash芯片循环接受脉冲冲击;
Flash芯片销毁后,由控制开关电路断开销毁电压。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明的系统所需的销毁电压低,只需系统常用的28V即可,简化了电路设计。具备电流监测功能,避免芯片完全销毁后产生的过流损坏控制电路。多芯片销毁过程中通过脉冲可以精准控制,不会出现错漏,提高了电路可靠性。
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