[发明专利]一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法有效

专利信息
申请号: 202111325780.3 申请日: 2021-11-10
公开(公告)号: CN114247724B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 孔文;汪明华;马兆军;周琦;王庆宝;武润泽;刘倩;宋海彤;刘兆强;贾雪琪 申请(专利权)人: 山东盖特航空科技有限公司
主分类号: B09B3/00 分类号: B09B3/00;B09B5/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 张勇
地址: 250119 山东省济南市天桥*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 脉冲 冲击 销毁 flash 芯片 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,包括:

脉冲发生电路,用于产生脉冲方波和产生选通信号Sel;

电流监测电路,用于感应销毁电流,并对控制开关电路进行控制;

所述电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流;控制开关电路,通过控制MOS管的通断,使脉冲方波反复作用于Flash芯片;MOS管的导通受选通信号Sel和电流检测信号Ctrl共同控制,正常情况下Ctrl信号一直处高电平,Sel控制MOS管的通断;当芯片烧毁后,芯片通过电流增大,电流检测电路置Ctrl为低电平,MOS不再受Sel信号控制;

所述控制开关电路包括多个控制开关,通过循环选通控制开关,使Flash芯片循环接受脉冲冲击;

所述控制开关由Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用。

2.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,还包括销毁电压,所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。

3.如权利要求2所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述脉冲发生电路,包括脉冲发生器与移位寄存器。

4.如权利要求3所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述脉冲发生器产生方波后进入移位寄存器,生成循环选通信号。

5.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述电流监测电路通过Ctrl信号与Sel信号作用于控制开关电路。

6.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述控制开关电路在Flash芯片销毁后断开销毁电压。

7.一种多脉冲冲击销毁Flash芯片方法,基于权利要求1-6任一项所述的多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,包括:

利用销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚;

电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流;

通过Ctrl信号与Sel信号对控制开关电路的多个控制开关进行循环选通控制,从而使Flash芯片循环接受脉冲冲击;

Flash芯片销毁后,由控制开关电路断开销毁电压。

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