[发明专利]一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统及方法有效
| 申请号: | 202111325780.3 | 申请日: | 2021-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN114247724B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 孔文;汪明华;马兆军;周琦;王庆宝;武润泽;刘倩;宋海彤;刘兆强;贾雪琪 | 申请(专利权)人: | 山东盖特航空科技有限公司 |
| 主分类号: | B09B3/00 | 分类号: | B09B3/00;B09B5/00 |
| 代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
| 地址: | 250119 山东省济南市天桥*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 脉冲 冲击 销毁 flash 芯片 系统 方法 | ||
1.一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,包括:
脉冲发生电路,用于产生脉冲方波和产生选通信号Sel;
电流监测电路,用于感应销毁电流,并对控制开关电路进行控制;
所述电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流;控制开关电路,通过控制MOS管的通断,使脉冲方波反复作用于Flash芯片;MOS管的导通受选通信号Sel和电流检测信号Ctrl共同控制,正常情况下Ctrl信号一直处高电平,Sel控制MOS管的通断;当芯片烧毁后,芯片通过电流增大,电流检测电路置Ctrl为低电平,MOS不再受Sel信号控制;
所述控制开关电路包括多个控制开关,通过循环选通控制开关,使Flash芯片循环接受脉冲冲击;
所述控制开关由Ctrl信号与Sel信号通过或门共同作用。
2.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,还包括销毁电压,所述销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚。
3.如权利要求2所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述脉冲发生电路,包括脉冲发生器与移位寄存器。
4.如权利要求3所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述脉冲发生器产生方波后进入移位寄存器,生成循环选通信号。
5.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述电流监测电路通过Ctrl信号与Sel信号作用于控制开关电路。
6.如权利要求1所述的一种多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,所述控制开关电路在Flash芯片销毁后断开销毁电压。
7.一种多脉冲冲击销毁Flash芯片方法,基于权利要求1-6任一项所述的多脉冲冲击销毁Flash芯片系统,其特征在于,包括:
利用销毁电压将销毁电流注入Flash芯片电源引脚;
电流监测电路通过Rsc电阻感应销毁电流;
通过Ctrl信号与Sel信号对控制开关电路的多个控制开关进行循环选通控制,从而使Flash芯片循环接受脉冲冲击;
Flash芯片销毁后,由控制开关电路断开销毁电压。
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