[发明专利]硅片吸盘装置在审
申请号: | 202111325132.8 | 申请日: | 2021-11-10 |
公开(公告)号: | CN114121763A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 王志刚;蒋旭东;张弛;顾建;李进良;蒋成斌;王四海 | 申请(专利权)人: | 南京卓胜自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张弛 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 吸盘 装置 | ||
本发明提供一种硅片吸盘结构,包括吸盘本体,吸盘本体具有中心轴,硅片吸盘装置还包括绕中心轴设置的真空发生器、挡边、排气孔;真空发生器设于吸盘本体上方,真空发生器底部设有多个斜排气口、多个吸气孔,斜排气口自真空发生器底部向上延伸用于排气,斜排气口自下而上延伸的纵截面宽度逐渐减小;挡边包括绕吸盘本体外边缘向上凸出设置的第一挡边、自吸盘本体上表面向上凸出设置的辐射状分布的多个第二挡边;排气孔均周向阵列于吸盘本体上;排气孔位于斜排气口斜下方,在自上而下的延伸方向上,排气孔正投影包围斜排气口正投影;吸盘本体下表面用于接触吸取硅片;真空发生器用于产生负压气流,并用于从斜排气口产生排气并通过排气孔排出。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其是一种硅片吸盘装置。
背景技术
如图1至图6所示,现有的硅片吸盘100从硅片料盒装置200里吸取硅片300,经过旋转机构400切换吸取另外一组硅片300,经过硅片输送机500搬运硅片料盒装置200,依次往复工作;旋转机构400包括伺服电机410、伸缩气缸420,伺服电机410与伸缩气缸420的一端连接,硅片吸盘100上方设有真空发生器110,伸缩气缸420设置于真空发生器110的上方,真空发生器110上具有进气接口111,进气接口111与伸缩气缸420导通,现有的硅片吸盘100采用的是圆形吸盘,在切换旋转移栽时,圆形的硅片吸盘100在运动中更容易使硅片300损坏破碎;其次硅片300吸取后,真空发生器110底部设置直排气口120用于排出气流但会直接吹击硅片300的表面,使硅片300在运动的过程中容易受到破损,会对后续的工序造成严重影响,导致成本过高和不良率过高。
发明内容
发明目的:提供一种能够解决硅片吸取过程中易产生损坏破碎问题的硅片吸盘装置。
技术方案:一种硅片吸盘装置,包括吸盘本体,吸盘本体中心设有一中心轴,硅片吸盘装置还包括绕中心轴设置的真空发生器、多个挡边、多个排气孔;真空发生器设置于吸盘本体的上方,真空发生器的底部设置有多个斜排气口、多个吸气孔,每一斜排气口自真空发生器的底部向上延伸,且每一斜排气口自下而上延伸的纵截面宽度逐渐减小;所述挡边包括围绕吸盘本体的外边缘向上凸出设置的第一挡边、自吸盘本体的上表面向上凸出设置的呈辐射状分布的多个第二挡边,每一第二挡边均自真空发生器的侧表面延伸至与第一挡边相连接;多个排气孔均周向阵列设于吸盘本体上;排气孔位于斜排气口斜下方,且在自上而下的延伸方向上,排气孔的正投影包围斜排气口的正投影;吸盘本体底部具有一下表面,该下表面用于接触并吸取硅片;真空发生器用于从吸气孔产生负压气流后排出,并用于从斜排气口产生排气并通过排气孔排出;其中,在吸盘本体上增设有挡边,硅片上方的空气由于挡边产生紊流,空气流速降低,硅片上方的压强变小,压力降低,硅片的上下两面的相对压力差变大,使得硅片被吸取后更可靠;真空发生器与硅片之间采取无接触方式吸取,无污染,保证了平面度。
进一步的,硅片吸盘装置还包括绕中心轴设置的多个减重孔,多个减重孔均周向阵列设于吸盘本体上;多个减重孔上下贯穿吸盘本体且多个减重孔包围多个排气孔;任意相邻两第二挡边之间对应设有一排气孔、一减重孔。减重孔用于减轻吸盘本体的重量,使得硅片不容易产生颤动,降低掉片概率。
进一步的,硅片吸盘装置还包括绕中心轴设置的多个加强筋,多个加强筋均周向阵列设于吸盘本体上;多个加强筋绕中心轴呈辐射状分布且位于排气孔下方。加强筋用于增加吸盘本体的强度,减少吸盘本体的变形,防止对硅片吸取造成破片;用于隔离真空发生器对硅片表面的直接吸取,减少碎片率和污染率。
进一步的,任意相邻的两加强筋之间对应设置有一镂空部,镂空部与减重孔一一相对设置。镂空部用于减轻吸盘本体的重量。
进一步的,吸盘本体具有相对设置的第一层及第二层,排气孔、减重孔均上下贯穿第一层,加强筋绕中心轴呈辐射状分布于第二层上,镂空部上下贯穿第二层。
进一步的,第一挡边围绕第一层、第二层的外边缘向上凸出设置,多个第二挡边均自第一层上表面向上凸出设置且呈辐射状分布,第一挡边分别连接第一层与第二层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造