[发明专利]硅片吸盘装置在审
申请号: | 202111325132.8 | 申请日: | 2021-11-10 |
公开(公告)号: | CN114121763A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 王志刚;蒋旭东;张弛;顾建;李进良;蒋成斌;王四海 | 申请(专利权)人: | 南京卓胜自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张弛 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 吸盘 装置 | ||
1.一种硅片吸盘装置,包括吸盘本体(1),吸盘本体(1)中心设有一中心轴(11),其特征在于,还包括绕中心轴(11)设置的真空发生器(2)、多个挡边(3)、多个排气孔(4);
真空发生器(2)设置于吸盘本体(1)的上方,真空发生器(2)的底部设置有多个斜排气口(21)、多个吸气孔(6),每一斜排气口(21)自真空发生器(2)的底部向上延伸,且每一斜排气口(21)自下而上延伸的纵截面宽度逐渐减小;
所述挡边(3)包括围绕吸盘本体(1)的外边缘向上凸出设置的第一挡边(31)、自吸盘本体(1)的上表面向上凸出设置的呈辐射状分布的多个第二挡边(32),每一第二挡边(32)均自真空发生器(2)的侧表面延伸至与第一挡边(31)相连接;
多个排气孔(4)均周向阵列设于吸盘本体(1)上;排气孔(4)位于斜排气口(21)斜下方,且在自上而下的延伸方向上,排气孔(4)的正投影包围斜排气口(21)的正投影;
吸盘本体(1)底部具有一下表面(10),该下表面用于接触并吸取硅片;真空发生器(2)用于从吸气孔(6)产生负压气流后排出,并用于从斜排气口(21)产生排气并通过排气孔(4)排出。
2.根据权利要求1所述的硅片吸盘装置,其特征在于,还包括绕中心轴(11)设置的多个减重孔(5),多个减重孔(5)均周向阵列设于吸盘本体(1)上;多个减重孔(5)上下贯穿吸盘本体(1)且多个减重孔(5)包围多个排气孔(4);任意相邻两第二挡边(32)之间对应设有一排气孔(4)、一减重孔(5)。
3.根据权利要求2所述的硅片吸盘装置,其特征在于,还包括绕中心轴(11)设置的多个加强筋(7),多个加强筋(7)均周向阵列设于吸盘本体(1)上;多个加强筋(7)绕中心轴(11)呈辐射状分布且位于排气孔(4)下方。
4.根据权利要求3所述的硅片吸盘装置,其特征在于,任意相邻的两加强筋(7)之间对应设置有一镂空部(71),镂空部(71)与减重孔(5)一一相对设置。
5.根据权利要求4所述的硅片吸盘装置,其特征在于,吸盘本体(1)具有相对设置的第一层(12)及第二层(13),排气孔(4)、减重孔(5)均上下贯穿第一层(12),加强筋(7)绕中心轴(11)呈辐射状分布于第二层(13)上,镂空部(71)上下贯穿第二层(13)。
6.根据权利要求5所述的硅片吸盘装置,其特征在于,第一挡边(31)围绕第一层(12)、第二层(13)的外边缘向上凸出设置,多个第二挡边(32)均自第一层(12)上表面向上凸出设置且呈辐射状分布,第一挡边(31)分别连接第一层(12)与第二层(13)。
7.根据权利要求6所述的硅片吸盘装置,其特征在于,吸盘本体(1)与真空发生器(2)为固定连接,第一层(12)与第二挡边(32)、第一层(12)与第一挡边(31)、第一挡边(31)与第二挡边(32)、第一挡边(31)与第二层(13)、第二层(13)与加强筋(7)均为一体式连接。
8.根据权利要求1所述的硅片吸盘装置,其特征在于,吸盘本体(1)为合成发泡树脂结构件。
9.根据权利要求6所述的硅片吸盘装置,其特征在于,排气孔(4)、减重孔(5)、第二挡边(32)、加强筋(7)、镂空部(71)的个数均为8个。
10.根据权利要求4所述的硅片吸盘装置,其特征在于,吸盘本体(1)的外部轮廓尺寸小于硅片的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造