[发明专利]图像传感器

说明书

提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有彼此背对的第一侧和第二侧；多个光电区域，在半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及第一分隔结构，在半导体基底的第一区域中设置在所述多个光电区域之间。第一分隔结构包括下分隔结构和设置在下分隔结构上方的上分隔结构，第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在第一方向上延伸的线性部分，其中，在第一分隔结构的线性部分的在第一方向上的剖面结构中，下分隔结构的上表面和上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。

本申请要求于2020年11月10日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0149213号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

公开涉及图像传感器。

背景技术

用于捕获图像并将图像转换为电信号的图像传感器芯片不但可以用于针对普通消费者的电子装置(诸如，数码相机、移动电话相机、便携式摄录像机(camcorder)等)中，而且可以用于安装在车辆、安全装置、机器人等中的相机中。因为可能需要图像传感器芯片被小型化并具有高分辨率，所以已经进行了研究以满足对图像传感器芯片的小型化和高分辨率的需求。

发明内容

本公开中的示例实施例提供了小型化的图像传感器。

根据示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器可以包括：半导体基底，具有第一侧和与第一侧背对的第二侧；多个光电区域，沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及分隔结构，设置在半导体基底中以分隔所述多个光电区域，其中，分隔结构包括下分隔结构和上分隔结构，下分隔结构设置在半导体基底的第一侧处，上分隔结构设置在半导体基底的第二侧处，其中，下分隔结构的下端与下分隔结构的上端之间的长度比上分隔结构的下端与上分隔结构的上端之间的长度大，其中，上分隔结构的上端与半导体基底的第二侧共面，其中，在分隔结构的至少一部分中，下分隔结构的两个横向表面之间的第一竖直中心轴不与上分隔结构的两个横向表面之间的第二竖直中心轴竖直地对准，其中，上分隔结构的下端与下分隔结构的上端之间的高度差比下分隔结构的宽度大。

根据示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器可以包括：半导体基底，具有第一侧和与第一侧背对的第二侧；多个光电区域，在半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及第一分隔结构，在半导体基底的第一区域中设置在所述多个光电区域之间。第一分隔结构包括下分隔结构和设置在下分隔结构上方的上分隔结构，并且第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在第一方向上延伸的线性部分，其中，在第一分隔结构的线性部分的在第一方向上的剖面结构中，下分隔结构的上表面和上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。