[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202111303999.3 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114464636A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 姜栋薰;吴光永;张锺光;金振泳;李泰宪 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘林果;陈晓博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
半导体基底,具有第一侧和与所述第一侧背对的第二侧;
多个光电区域,沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在所述半导体基底中;以及
分隔结构,设置在所述半导体基底中以分隔所述多个光电区域,
其中,所述分隔结构包括下分隔结构和上分隔结构,所述下分隔结构设置在所述半导体基底的所述第一侧处,所述上分隔结构设置在所述半导体基底的所述第二侧处,并且
其中,所述上分隔结构的下端与所述下分隔结构的上端之间的高度差比所述下分隔结构的宽度大。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述下分隔结构的下端与所述下分隔结构的所述上端之间的长度比所述上分隔结构的所述下端与所述上分隔结构的上端之间的长度大。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,在所述分隔结构的至少一部分中,所述下分隔结构的两个横向表面之间的第一竖直中心轴不与所述上分隔结构的两个横向表面之间的第二竖直中心轴竖直地对准。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第一方向上延伸的线性部分,并且
其中,在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中,所述下分隔结构的上表面包括多个第一部分,所述多个第一部分具有凹形形状。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述多个第一部分中的至少一个形成在所述下分隔结构的所述上表面的具有不同倾斜角的第一倾斜表面和第二倾斜表面彼此交会的位置处。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的所述剖面结构中,所述下分隔结构的所述上表面在所述多个第一部分之中的彼此相邻的一对第一部分之间包括具有凸形形状的第二部分,并且
其中,所述多个第一部分各自设置在所述多个光电区域之中的在所述第二方向上彼此相邻的光电区域之间。
7.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述下分隔结构与所述上分隔结构接触。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,所述分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第二方向上延伸的线性部分,
其中,在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中,所述上分隔结构包括与所述下分隔结构竖直地叠置的部分和不与所述下分隔结构竖直地叠置的下延伸部分,所述下延伸部分在面对所述半导体基底的所述第一侧的方向上延伸,并且
其中,所述上分隔结构的所述下端是所述上分隔结构的所述下延伸部分的下端。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述上分隔结构的所述下延伸部分的所述下端与所述下分隔结构的与所述上分隔结构叠置的横向表面间隔开。
10.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述上分隔结构的横向表面具有第一倾斜角,并且
所述下分隔结构的横向表面具有比第一倾斜角更陡峭的第二倾斜角。
11.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第二方向上延伸的线性部分,
其中,在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中,所述上分隔结构具有彼此背对的第一横向表面和第二横向表面,并且
其中,所述上分隔结构的所述第一横向表面与所述下分隔结构叠置,所述上分隔结构的所述第二横向表面不与所述下分隔结构叠置。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,所述上分隔结构的所述第二横向表面包括具有第一倾斜角的第一部分、具有第二倾斜角的第二部分以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间的弯曲部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111303999.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的