[发明专利]一种防粘连片的清理装置在审
| 申请号: | 202111288229.6 | 申请日: | 2021-11-02 | 
| 公开(公告)号: | CN113964065A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 | 
| 发明(设计)人: | 王辉;张浩强;崔硕浩 | 申请(专利权)人: | 宁晋松宫电子材料有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B5/02 | 
| 代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 刘煜 | 
| 地址: | 055550 河北*** | 国省代码: | 河北;13 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 粘连 清理 装置 | ||
本发明提供一种防粘连片的清理装置,包括输送带,所述输送带用于运送待清洁件;清理机构,所述清理机构包括:两个角度可调节的喷头,两个所述喷头分别位于所述输送带上下两侧;三通管,所述三通管的第一端、第二端分别连接两个所述喷头且第三端用于连接清理介质源,并向所述喷头提供清理介质。根据本发明实施例的清理装置,通过在输送带上下两侧各设置一喷头,可以达到同时清除硅片正面和反面的水份,减少相隔硅片粘连片的机率;此外,通过调节喷头的角度改变喷出的清理介质的吹扫角,可避免垂直喷射压力过大导致的待清洁件隐裂或碎片,起到了保护待清洁件的作用。
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域,具体涉及一种防粘连片的清理装置。
背景技术
硅片在插片机构上进行插片时,若硅片表面附着水分过多,导致插入花篮后形成粘连片,而且在插片时硅片会从水槽中分离到传送带上,部分硅片正反面附带水分形成水滴。硅片插入花篮后,硅片底面水分聚集形成的半径大于硅片间隙的水滴,会粘连到下面硅片的正面,由于水分表面的张力作用,上面的硅片中心位置会向下凹,相隔的下面的硅片中心向上凸,粘合到一起形成粘连片,这样的现象有可能造成硅片表面脏污清理不净或形成硅片表面的隐裂风险,降低硅片良率,减少出片率。
为清除硅片表面的水分,通常在硅片上方设置吹干装置对硅片表面进行吹干,现有技术中的吹干装置的出气管通常设置在硅片的正上方或倾斜设置。
然而,这种吹干装置不能彻底清除硅片表面的水分,仍然存在硅片粘粘的风险。
另外,该吹干装置只能适用于一定厚度以上的硅片,当硅片厚度减小时,容易在吹干过程中因清理介质对硅片的压力过大而导致硅片发生隐裂或碎片,亦即这种吹干装置无法灵活应用于不同厚度的硅片。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种防粘连片的清理装置,用于有效清除硅片表面的水分,且能够应用于不同厚度的待清洁件的清理。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
根据本发明实施例的防粘连片的清理装置,包括:
输送带,所述输送带用于运送待清洁件;
清理机构,所述清理机构包括:
两个角度可调节的喷头,两个所述喷头分别位于所述输送带上下两侧;
三通管,所述三通管的第一端、第二端分别连接两个所述喷头且第三端用于连接清理介质源,并向所述喷头提供清理介质。
进一步地,所述喷头与所述三通管之间通过快接头连接。
进一步地,所述清理机构还可以包括:
第一调节部,所述第一调节部连接所述喷头以调节所述喷头的喷射角度。
进一步地,所述第一调节部为角度调节阀,所述角度调节阀的至少一部分设置在所述喷头的管道内。
进一步地,所述清理机构还可以包括:
两个第二调节部,两个所述第二调节部分别连接所述三通管的第一端、第二端,用于调节所述清理介质的提供速度。
进一步地,所述第二调节部包括:
压力表,所述压力表连接所述三通管的靠近所述喷头一端,用于检测提供给所述喷头的清理介质的压力;
调节阀,所述调节阀连接所述三通管的远离所述喷头一端,用于调节提供给所述喷头的提供速度。
进一步地,所述清理机构还可以包括:
控制机构,所述控制机构分别连接所述三通管的第一端以及第二端上的调节阀,用于控制使得位于所述输送带下方的调节阀的开度小于位于所述输送带上方的调节阀的开度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





