[发明专利]一种低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）SiC@SiO₂核壳结构的制备：将碳化硅纤维置于高频感应炉中，在空气气氛下热氧化处理，随炉冷却，即得SiC@SiO₂核壳结构；

（2）表面沉积氧化镧薄膜的SiC@SiO₂核壳结构的制备：利用化学气相沉积法，在SiC@SiO₂核壳结构表面沉积氧化镧薄膜；

（3）低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料的制备：将步骤（2）制得的表面沉积氧化镧薄膜的SiC@SiO₂核壳结构、硼化合物、氮化硅、二氧化硅混匀，装入干压模具中，4-6MPa预压0.5-3min得胚体，将胚体置于坩埚中，抽真空，升温，真空烧结，降温，即得；

其中，步骤（1）中，热氧化处理条件为：1400-1500℃热氧化处理1-2min；

其中，步骤（2）中，化学气相沉积步骤为：S1，将镧源和SiC@SiO₂核壳结构分别放入管式炉腔体内，对腔体抽真空，通入运输气体调整腔体内压强，然后将腔体升温至800℃-1100℃，通过运输气体流量调整腔体内压强，使腔体内压强处于低压状态下，然后通入氧源生长薄膜；S2，保持S1的生长时的温度、腔体内压强、运输气体和氧源流量，原位后退火处理；S3关闭氧气和热源，调整腔体内压强，在运输气体氛围下自然降温至室温，在衬底上获得氧化镧外延薄膜；

所述镧源为金属镧，所述运输气体为氮气或氩气，所述氧源为氧气；升温前，运输气体调整腔体内压强至100-760Torr，运输气体的气流量为400-1000 sccm，升温后，运输气体调整腔体内压强至0.1-10Torr，运输气体的气流量为10-100sccm；氧气的气流量为10-100sccm；

其中，步骤（3）中，原料用量为：表面沉积氧化镧薄膜的SiC@SiO₂核壳结构100份，硼化合物3-4份，氮化硅1-2份，二氧化硅1-3份，以重量份计；所述硼化合物为氮化硼或碳化硼；真空烧结条件为：0.01Pa以下真空度，烧结温度为2000-2200℃；烧结时间为10-24h；

步骤（3）中，升温条件：从室温升至1650-1850℃时，升温速率为50-60℃/min，从1650-1850℃升至2000-2200℃时，升温速率为10-20℃/min；降温条件：从2000-2200℃将至1650-1850℃时，降温速率为10-20℃/min，从1650-1850℃将至室温时，降温速率为50-60℃/min。

2.权利要求1方法制得的低介电损耗碳化硅纤维增强陶瓷复合材料。