[发明专利]电致发光器件及其制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种电致发光器件及其制备方法，电致发光器件包括依次叠层设置的阳极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层以及阴极，其中，量子点发光层中掺杂有载流子传输材料；通过在量子点发光层中掺杂载流子传输材料，一方面载流子传输材料可改善量子点发光材料的导电性，促进载流子的注入和传输，另一方面p型、n型传输材料与量子点发光材料混合形成微小p‑i‑n型异质结，能够提高载流子的复合几率，提高电致发光器件的发光量子效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光材料具有发光波长可调、量子效率高、色纯度高等优异的光电性能，因而，量子点发光二极管(QLED，Quantum Dot Light Emitting Diodes)在光电显示领域具有广阔的应用前景。然而由于量子点表面的有机长链配体的绝缘性会导致一系列的问题，具体如下：量子点表面的配体会阻碍载流子在量子点发光膜层中的运输，增加器件的注入势垒；载流子在电子功能层与量子点发光膜层界面以及在空穴功能层与量子点发光膜层界面积累，发生猝灭，降低发光效率。

现有技术中常用于提高量子点导电性的方法包括洗配体法和导电配合物法均存在一定的问题：洗配体法中，难以控制保留配体的数量，配体保留过多导致效果不佳，保留配体过少，量子点稳定性差；导电配合物法中，合适的配合物较少，合成工艺复杂。

综上，现有的量子点发光膜层的导电性有待于提高。

发明内容

本发明实施例提供一种电致发光器件，以解决现有的电致发光器件中，载流子在电子功能层与量子点发光膜层界面以及在空穴功能层与量子点发光膜层界面积累，发生猝灭，导致QLED发光效率降低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种电致发光器件，包括：

依次叠层设置的阳极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层以及阴极其中，所述量子点发光层中掺杂有载流子传输材料。

在本发明的一些实施例中，所述量子点发光层包括量子点发光材料，所述载流子传输材料与所述量子点发光材料的质量比为0.1％～2％。

在本发明的一些实施例中，所述载流子传输材料包括空穴传输材料和电子传输材料中的至少一种。

在本发明的一些实施例中，所述载流子传输材料包括空穴传输材料和电子传输材料，所述空穴传输材料和所述电子传输材料的掺杂质量比值为0.1～10。

在本发明的一些实施例中，所述载流子传输材料包括空穴传输材料和电子传输材料，所述量子点发光层包括量子点发光材料，所述量子点发光材料与所述载流子传输材料形成p-i-n异质结。

在本发明的一些实施例中，所述量子点发光层包括量子点发光材料，所述载流子传输材料的导带/价带与所述量子点发光材料的导带/价带形成的带阶为0.1～0.5eV。

在本发明的一些实施例中，所述空穴功能层包括空穴注入层，所述电子功能层包括电子注入层，所述空穴注入层与所述量子点发光层的一侧表面直接接触，所述电子注入层与所述量子点发光层的另一侧表面直接接触。

在本发明的一些实施例中，所述空穴功能层包括叠层的空穴注入层、空穴传输层，所述电子功能层包括叠层的电子传输层和电子注入层，所述空穴传输层与所述量子点发光层的一侧表面直接接触，所述电子传输层与所述量子点发光层的另一侧表面直接接触。

在本发明的一些实施例中，所述载流子传输材料包括CBP、TFB、Poly-TBD、PFO、TPBi、Bphen、B3PYMPM中的至少一种。

本发明实施例还提供上述实施例中的电致发光器件的制备方法，包括：