[发明专利]反向偏压优化

说明书

本申请案涉及反向偏压优化。一种设备，例如电子设备，可包含第一衬底区域和第二衬底区域。所述设备还可包含电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上并包含与导电路径耦合的输出端子。所述设备还可包含安置在所述第二衬底区域上的一组箝位电路。所述组箝位电路可经配置以将所述导电路径与电压供应器选择性地耦合。

交叉参考

本专利申请案主张布洛克斯(Brox)等人在2020年11月12日申请的标题为“反向偏压优化(BACK-BIAS OPTIMIZATION)”的第17/096,225号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以其全文引用方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及反向偏压优化。

背景技术

存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个所支持的状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储其中的任一者。为存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下也可维持其存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如DRAM)可能在与外部电源断开连接时丢失其存储状态。

发明内容

描述了一种设备。所述设备可包含：第一衬底区域和第二衬底区域；电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上，并包括与导电路径耦合的输出端子；以及多个箝位电路，其安置在所述第二衬底区域上，所述多个箝位电路各自可配置以将所述导电路径与电压供应器耦合。

描述了一种设备。所述设备可包含：第一衬底区域和第二衬底区域；电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上，并经配置以在第一导电路径上产生第一电压且在第二导电路径上产生第二电压，所述第一和第二电压用于偏置至少所述第二衬底区域中的晶体管；以及多个箝位电路，其安置在所述第二衬底区域上并与所述电压产生器耦合，其中所述多个箝位电路中的每一箝位电路经配置以向所述第一导电路径提供第三电压，并向所述第二导电路径提供第四电压，所述第三和第四电压用于偏置所述晶体管。

描述了一种设备。所述设备可包含：第一电压产生器，其安置在第一衬底区域上，所述第一电压产生器经配置以产生用于偏置第二衬底区域中的晶体管的第一电压和第二电压；第二电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上，所述第二电压产生器经配置以产生用于偏置所述晶体管的所述第一电压和所述第二电压；箝位电路，其安置在由第一衬底区域至少部分围绕的所述第二衬底区域上，并且可配置以提供用于偏置所述晶体管的第三电压和第四电压。

附图说明

图1说明根据本文中所揭示的实例的支持反向偏压优化的系统的实例。

图2说明根据本文中所揭示的实例的支持反向偏压优化的装置的实例。

图3A和3B说明根据本文中所揭示的实例的支持反向偏压优化的过程流程的实例。

具体实施方式