[发明专利]反向偏压优化

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一衬底区域和第二衬底区域；

电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上，并包括与导电路径耦合的输出端子；及

多个箝位电路，其安置在所述第二衬底区域上，所述多个箝位电路各自可配置以将所述导电路径与电压供应器耦合。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

箝位电路，其安置在所述第一衬底区域上并与所述电压产生器耦合。

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

控制器，其与所述电压产生器和所述多个箝位电路耦合，所述控制器经配置以独立地启用和停用所述电压产生器以及启用和停用所述多个箝位电路。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制器经配置以至少部分地基于所述设备的操作模式来启用或停用所述电压产生器以及启用或停用所述多个箝位电路。

5.根据权利要求3所述的设备，其进一步包括：

模式寄存器，其经配置以指示所述设备的操作模式，其中所述控制器经配置以至少部分地基于由所述模式寄存器指示的所述操作模式来启用或停用所述电压产生器以及启用或停用所述多个箝位电路。

6.根据权利要求3所述的设备，其进一步包括：

熔断器，其经配置以指示所述设备中的晶体管的切换性质，其中所述控制器经配置以至少部分地基于所述切换性质来启用或停用所述电压产生器及所述多个箝位电路。

7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第二导电路径，其与所述电压产生器的第二输出端子耦合，其中所述多个箝位电路可配置以将所述第二导电路径与第二电压供应器耦合。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个箝位电路中的每一箝位电路包括：

第一晶体管，其与所述导电路径和所述电压供应器耦合；及

第二晶体管，其与所述第二导电路径和所述第二电压供应器耦合。

9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第二电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上，并包括与所述导电路径耦合的输出端子。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述电压产生器和所述第二电压产生器在所述第二衬底区域的相对侧上。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电路径跨越所述第二衬底区域的整个长度，并且所述多个箝位电路沿着所述导电路径分布。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二衬底区域在两侧上由所述第一衬底区域至少部分地围绕。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二衬底区域受制于放置一或多个布线或组件的一组约束，所述第一衬底区域不遵循所述组约束。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二衬底区域为包括受制于所述组约束的矩阵子区域的外围衬底区域，并且其中每一箝位电路安置在所述矩阵子区域的相应子区域上。

15.一种设备，其包括：

第一衬底区域和第二衬底区域；

电压产生器，其安置在所述第一衬底区域上，并经配置以在第一导电路径上产生第一电压且在第二导电路径上产生第二电压，所述第一和第二电压用于偏置至少所述第二衬底区域中的晶体管；及

多个箝位电路，其安置在所述第二衬底区域上并与所述电压产生器耦合，其中所述多个箝位电路中的每一箝位电路经配置以向所述第一导电路径提供第三电压，并向所述第二导电路径提供第四电压，所述第三和第四电压用于偏置所述晶体管。