[发明专利]控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法

权利要求书

1.一种控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，按现有工艺形成有源区、浮栅以及STI氧化层；

S2，执行第一次刻蚀，去除部分STI氧化层；

S3，执行第二次刻蚀，再次去除部分STI氧化层，使STI氧化层降低到指定高度；

S4，量测沟槽内STI氧化层厚度；

S5，确定执行第三次刻蚀使STI氧化层达到设计厚度所需要工艺时间；

S6，执行第三次刻蚀，使STI氧化层达到设计厚度。

2.如权利要求1所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：第一次刻蚀和第二次刻蚀采用不同的刻蚀工艺，第二次刻蚀能形成剩余STI氧化层顶部为平面的形貌。

3.如权利要求1所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：第一次刻蚀和第二次刻蚀采用不同的刻蚀工艺，第一次刻蚀和第三次刻蚀采用相同的刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：执行步骤S3时，剩余STI氧化层顶部为平面。

5.如权利要求1所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：第一次刻蚀采用湿法刻蚀，第二次刻蚀采用干法刻蚀，第三次刻蚀采用湿法刻蚀，第二次刻蚀能形成剩余STI氧化层顶部为平面的形貌。

6.如权利要求1所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：STI氧化层指定高度为STI氧化层原有厚度的2/3。

7.如权利要求1所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：实施步骤S5时，通过先进工艺控制系统(APC)确定执行第三次刻蚀使STI氧化层达到设计厚度所需要工艺时间。

8.如权利要求1-7任意一项所述控制NAND闪存元胞区有效场高度的工艺方法，其特征在于：其能用于22nm、20nm或16nm以下NAND闪存制作工艺。