[发明专利]像素排布结构、掩膜板组件及显示面板在审
申请号: | 202111252695.9 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN113823670A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 兰兰;曲毅;邱少亚;董晴晴;姜博;冯丹丹 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排布 结构 掩膜板 组件 显示 面板 | ||
本发明公开了一种像素排布结构、掩膜板组件及显示面板,像素排布结构包括多个重复单元,重复单元包括:第一像素组,包括由第一原点向外呈散射状分布的三个第一子像素;第二像素组,包括由第二原点向外呈散射状分布的三个第二子像素,且至少一个第一子像素和一个第二子像素沿第一方向相邻设置;第三像素组,包括由第三原点向外呈散射状分布的三个第三子像素,且至少一个第二子像素和一个第三子像素沿第一方向相邻设置;其中,相邻两行的重复单元沿第二方向错位设置,第i+1行的第三像素组位于第i行的第一像素组和第二像素组之间,且第i+1行的第三像素组与第i行的所述第一像素组和所述第二像素组之间存在设置间隙。
技术领域
本发明属于电子产品技术领域,尤其涉及一种像素排布结构、掩膜板组件及显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode;OLED)是主动发光器件。与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display;LCD)显示方式相比,OLED显示技术无需背光灯,具有自发光的特性。OLED采用较薄的有机材料膜层和玻璃基板,当有电流通过时,有机材料就会发光。因此OLED显示面板能够显著节省电能,可以做得更轻更薄,比LCD显示面板耐受更宽范围的温度变化,而且可视角度更大。OLED显示面板有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
OLED显示面板的像素排布是其非常重要的一个特征,目前现有的像素排布结构中,用于支撑盖板的支撑柱(Photo Spacer,SPC)通常放在相邻的两子像素、或三个子像素的交界处,且支撑柱可能与用于蒸镀子像素的掩膜板开口位置重叠。在蒸镀工艺中,金属掩模版与基板进行反复贴合对位的调试时,基板上的支撑柱存在被金属掩模版刮伤的情况。
发明内容
本发明实施例提供了一种像素排布结构、掩膜板组件及显示面板,旨在通过合理调整像素排布结构中子像素的位置改善支撑柱和掩膜板相互剐蹭的风险。
本发明实施例一方面提供了一种像素排布结构,像素排布结构包括呈阵列排布的多个重复单元,重复单元包括:第一像素组,包括由第一原点向外呈散射状分布的三个第一子像素及位于任相邻的两个第一子像素之间的第一间隙;第二像素组,和第一像素组沿第一方向相邻设置,第二像素组包括由第二原点向外呈散射状分布的三个第二子像素及位于任相邻的两个第二子像素之间的第二间隙,且至少一个第一子像素和一个第二子像素沿第一方向相邻设置;第三像素组,位于第二像素组背离第一像素组的一侧,第三像素组包括由第三原点向外呈散射状分布的三个第三子像素及位于任相邻的两个第三子像素之间的第三间隙,且至少一个第二子像素和一个第三子像素沿第一方向相邻设置;其中,相邻两行的重复单元沿第二方向错位设置,第i+1行的第三像素组位于第i行沿第一方向相邻的第一像素组和第二像素组之间,且第i+1行的第三像素组与第i行的第一像素组和第二像素组之间存在设置间隙。
根据本发明第一方面的实施方式,第一像素组、第二像素组和第三像素组均呈六边形,第一子像素、第二子像素和第三子像素均呈三角形。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第一像素组、第二像素组和第三像素组的尺寸相同,第i+1行的第三像素组的其中一条侧边、与第i行的第一像素组其中一条侧边、及第二像素组的其中一条侧边围合形成设置间隙。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第一像素组的尺寸大于或等于第二像素组,第一像素组的尺寸大于第三像素组。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第一像素组、第二像素组和第三像素组均呈圆形,第一子像素、第二子像素和第三子像素均呈扇形。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第i+1行的第三像素组与第i行的第一像素组及第二像素组相切形成设置间隙。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第一原点位于第一像素组的中心。
根据本发明第一方面前述任一实施方式,第二原点位于第二像素组的中心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的