[发明专利]像素排布结构、掩膜板组件及显示面板在审
申请号: | 202111252695.9 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN113823670A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 兰兰;曲毅;邱少亚;董晴晴;姜博;冯丹丹 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排布 结构 掩膜板 组件 显示 面板 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括呈阵列排布的多个重复单元,所述重复单元包括:
第一像素组,包括由第一原点向外呈散射状分布的三个第一子像素及位于任相邻的两个所述第一子像素之间的第一间隙;
第二像素组,和所述第一像素组沿第一方向相邻设置,所述第二像素组包括由第二原点向外呈散射状分布的三个第二子像素及位于任相邻的两个所述第二子像素之间的第二间隙,且至少一个所述第一子像素和一个所述第二子像素沿所述第一方向相邻设置;
第三像素组,位于所述第二像素组背离所述第一像素组的一侧,所述第三像素组包括由第三原点向外呈散射状分布的三个第三子像素及位于任相邻的两个所述第三子像素之间的第三间隙,且至少一个所述第二子像素和一个所述第三子像素沿所述第一方向相邻设置;
其中,相邻两行的所述重复单元沿第二方向错位设置,第i+1行的第三像素组位于第i行沿所述第一方向相邻的所述第一像素组和所述第二像素组之间,且第i+1行的第三像素组与第i行的所述第一像素组和所述第二像素组之间存在设置间隙。
2.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,
所述第一像素组、所述第二像素组和所述第三像素组均呈六边形,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素均呈三角形;
优选的,所述第一像素组、所述第二像素组和所述第三像素组的尺寸相同,第i+1行的第三像素组的其中一条侧边、与第i行的所述第一像素组其中一条侧边、及所述第二像素组的其中一条侧边围合形成所述设置间隙;
或者,所述第一像素组的尺寸大于或等于所述第二像素组,所述第一像素组的尺寸大于所述第三像素组。
3.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一像素组、所述第二像素组和所述第三像素组均呈圆形,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素均呈扇形。
4.根据权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,第i+1行的第三像素组与第i行的所述第一像素组及所述第二像素组相切形成所述设置间隙;
优选的,所述第一原点位于所述第一像素组的中心;
优选的,所述第二原点位于所述第二像素组的中心;
优选的,所述第三原点位于所述第三像素组的中心。
5.根据权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,第i+1行的第三像素组与第i行的所述第一像素组及所述第二像素组中:所述第一像素组和所述第二像素组相切,所述第三像素组与所述第一像素组和/或所述第二像素组相互间隔形成所述设置间隙;
优选的,位于同一行的所述第一像素组、所述第二像素组和所述第三像素组相切设置。
6.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述设置间隙的周侧环绕设置有所述第一间隙、所述第二间隙和所述第二间隙;
优选的,单个所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素相邻形成像素单元,所述像素单元和所述设置间隙沿所述第一方向依次交替分布;
优选的,所述设置间隙及位于其周侧的所述第一间隙、所述第二间隙和所述第二间隙形成让位空间,所述像素单元和所述让位空间关于沿所述第一方向延伸的轴线对称分布。
7.根据权利要求6所述的像素排布结构,其特征在于,所述像素单元呈三角形,且所述像素单元中的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别靠近所述像素单元的其中一个角设置;
优选的,所述让位空间呈三角形,所述第一间隙、所述第二间隙和所述第三间隙分别靠近所述让位空间的其中一个角设置,且所述让位空间和所述像素单元沿所述第一方向相邻形成一个平行四边形;
优选的,所述像素单元包括沿所述第一方向依次分布的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元,所述第一像素单元中的所述第二子像素和所述第二像素单元中的所述第二子像素沿所述第一方向相邻设置,所述第二像素单元中的所述第三子像素和所述第三像素单元中的所述第三子像素沿所述第一方向相邻设置,所述第三像素单元中的所述第一子像素和所述第一像素单元中的所述第一子像素关于所述第二像素单元对称分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的