[发明专利]一种T型BiFeO3 在审
| 申请号： | 202111251504.7 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113913935A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 宋建民;周斌;刘炜;刘紫源;崔浩楠;曾浩宇;陈笑影;安纪华;穆子芊 | 申请（专利权）人： | 河北农业大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B23/02;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 071000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bifeo base sub | ||
1.一种T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
S1：制备La0.5Sr0.5CoO3靶材和BiFeO3靶材并安装于磁控溅射设备中，将LaAlO3(001)基底净化并置于磁控溅射设备中；
S2：在LaAlO3(001)基底上磁控溅射生长La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极，溅射条件为混合氩气和氧气体积比为2～4：1，溅射功率密度为60～80W/cm2，基底温度为600～750℃，溅射时间20～50min；
S3：在La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极上磁控溅射生长T型BiFeO3薄膜，溅射条件为纯氩气氛围，溅射功率密度为50～80W/cm2，基底温度为600～750℃，溅射时间1～3h，即得到T型BiFeO3铁电薄膜材料。
2.如权利要求1所述的T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，利用超声波清洗器将LaAlO3(001)先后在丙酮和无水乙醇中清洗，高纯氮气吹干，然后用银胶粘于托盘正中央，放入磁控溅射设备的样品台上。
3.如权利要求1所述的T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，本底真空度为10-5～10-4Pa，靶衬间距为3～6cm,溅射过程中压强为1～4Pa,所得La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极的厚度为10nm～200nm。
4.如权利要求1所述的T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，本底真空度为10-5～10-4Pa，靶衬间距为3～6cm,溅射过程中压强为1～4Pa,所得T型BiFeO3薄膜的厚度为100nm～1um。
5.如权利要求1所述的T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2和步骤S3中，所述磁控溅射为45度斜向溅射。
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