[发明专利]一种基板表面成膜装置及成膜方法在审
| 申请号: | 202111248861.8 | 申请日: | 2021-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN114121604A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
| 发明(设计)人: | 吴亚威 | 申请(专利权)人: | 南京秉昱科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人: | 张磊 |
| 地址: | 211100 江苏省南京市江宁区麒麟科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 表面 装置 方法 | ||
本发明公开了一种基板表面成膜装置及成膜方法,属于自动化技术领域。包括成膜座、第一滑轨和喷射机构,其中成膜座设置在机器人的输出端,第一滑轨连接于成膜座,第一滑轨设有传送机构和定位机构,传送机构设有第一夹持组件和第二夹持组件,传送机构夹取并传送多个基板,定位机构对基板成膜前进行定位,喷射机构对定位后的基板进行局部喷射成膜气体。本发明的基板表面成膜用控制装置,利用传送机构对基板进行批量化夹取、成膜作业时的夹持以及成膜完成后的传送,效率较高,对气体喷头成膜作业过程中的多余气体做进一步的位置处理及收集作业,有效的提升装置的使用效果,利用模具对成膜的形状进行固定,可进一步提高气体喷头的工作效。
技术领域
本发明属于自动化技术领域,特别涉及一种基板表面成膜装置及成膜方法 。
背景技术
喷射膜气体至基板表面成膜作为半导体制造工序中的基础成膜技术之一,在基板上快速成膜,从而形成半导体结构,其中喷射成膜气体操作简单,且剩余膜气体易于处理,相对于电镀或者化学处理,其污染较小。
其中对于基板的多层镀膜,有一种真空精喷镀成膜仪器,该仪器能够控制对基板进行多层镀膜,但是该仪器对于基板的喷镀范围受到限制,优先是针对基板的整个表面进行喷镀,适用于半导体加工的基础原材料的加工,同时多种气体的先后喷镀,对于多种气体的先后处理,该仪器处理的难度较高,往往达不到预期的处理效果。
发明内容
本发明为解决上述背景技术中存在的技术问题,提供一种基板表面成膜装置及成膜方法 。
本发明采用以下技术方案:一种基板表面成膜装置,设置在机器人的输出端,所述机器人至少包括成膜端和基板存放座,包括,
成膜座,设置在所述机器人的输出端;所述成膜座至少具有在水平向的一个自由度;
第一滑轨,滑动连接于所述成膜座;所述第一滑轨设有传送机构和定位机构;所述传送机构设有第一夹持组件和第二夹持组件;所述传送机构夹取并传送多个基板;所述定位机构对基板成膜前进行定位;
喷射机构,设于所述成膜座的底部;所述喷射机构对定位后的基板的局部喷射成膜气体。
通过上述技术方案,第一夹持组件从指定位置上夹取基板的一侧边缘部分,并旋转预设的角度,第二夹持组件夹取基板的另一侧边缘部分,使得基板固定,定位机构对基板进行定位,喷射机构对定位后的基板按照指定的控制路径 进行喷射膜气体,从而局部成膜,完成成膜作业后,第一夹持组件松开对基板的夹持,第二夹持组件夹取基板并旋转预设的角度,将基板放置指定的位置,从而进行下一步加工工序。
在进一步的实施例中,所述成膜座包括:
连接轴,连接于所述机器人的输出端;
连接座,转动连接于所述连接轴的端部;所述连接座为凹形设置;所述连接座内置动力组件,驱动所述连接座相对连接轴旋转预设的角度。
通过上述技术方案,驱动连接座相对连接轴旋转预设的角度,旋转90°后,使得多余漂浮着的膜气体处于自由落体状态,避免膜气体积附在装置表面。
在进一步的实施例中,所述第一夹持组件包括:
第一滑动座,设置在所述第一滑轨底部滑动;
升降组件,连接于所述第一滑动轨道;
安装板,连接于所述升降组件;所述安装板设有长条形通孔;
第一气缸,转动安装于所述安装板上;所述第一气缸的移动端与连轴的一端转动连接;
转动轴,转动设于所述安装板的下方;所述转动轴的中间位置处固定连接连轴的另一端;
夹取组件,设于所述转动轴上;所述夹取组件用于夹取基板。
通过上述技术方案,即第一气缸、连轴和转轴组合成一个连杆结构,其中连轴相对安装板的转动角度设置为30°-150°之间,即转动轴的转动角度为0-120°,转动轴上安装夹取组件,用于夹取基板的边缘,即升降组件控制夹取组件夹取基板,并旋转至最大角度120°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





