[发明专利]一种近紫外非线性功能材料的制备方法及其应用在审
| 申请号: | 202111192686.5 | 申请日: | 2021-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN114059168A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 邹国红;董雪华 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | C30B29/46 | 分类号: | C30B29/46;C30B7/14;G02F1/355 |
| 代理公司: | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 刘英 |
| 地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 紫外 非线性 功能 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:
S1、按摩尔比为1:1:2:1称取SeO2、Rb2CO3、SbF3以及H2O2;
S2、将SeO2、Rb2CO3、SbF3以及H2O2加入去离子水中,得到混合液A;
H2O2和SeO2发生氧化还原反应,得到Se6+;混合液A的PH值小于7;
S3、将混合液A加入聚四氟乙烯反应内衬中,套入不锈钢外壳后拧紧,将其置于恒温环境下保温;
S4、取出聚四氟乙烯反应内衬,冷却至室温后打开聚四氟乙烯反应内衬,得到毫米级无色透明晶体,其分子式为Rb2Sb2F6SeO4;
Rb2Sb2F6SeO4晶体的晶胞参数为:
α=γ=90°,
z=2;
Rb2Sb2F6SeO4晶体的单胞体积为
2.根据权利要求1所述的一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,S2中向去离子水加入SeO2、Rb2CO3、SbF3以及H2O2的同时,向去离子水中加入HF。
3.根据权利要求1所述的一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,S3中加热保温的温度为85℃,保温时间为2天。
4.根据权利要求1所述的一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,S4中得到毫米级无色透明晶体后用蒸馏水进行冲洗。
5.根据权利要求1所述的一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,Rb2Sb2F6SeO4晶体的紫外吸收边为254nm;
Rb2Sb2F6SeO4晶体的透明区间为0.254μm~10μm。
6.根据权利要求1所述的一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,相同粒径的Rb2Sb2F6SeO4晶体和KDP晶体在Kurtz粉末倍频测试状态下,Rb2Sb2F6SeO4晶体的倍频效应是KDP晶体的0.5倍。
7.根据权利要求1所述的一种近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,Rb2Sb2F6SeO4晶体在546nm状态下具有0.11的双折射率。
8.一种近紫外非线性功能材料的应用,包括权利要求1-7任一项近紫外非线性功能材料的制备方法,其特征在于,采用近紫外非线性功能材料的制备方法制得的Rb2Sb2F6SeO4晶体用于制备固体激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111192686.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:DC/DC变换器及其输出电压控制方法
- 下一篇:一种异构数据源的统一访问方法





