[发明专利]熔丝结构的制作方法在审
| 申请号： | 202111186004.X | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114023693A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 卓红标;刘春玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027;H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制作方法 | ||
1.一种熔丝结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在介质层上方的金属层中形成熔断部，所述金属层和所述介质层之间设置有阻挡层；
形成钝化层；
通过光刻和刻蚀工艺，在所述熔断部两侧的介质层中形成凹槽；
通过灰化工艺和湿法清洗工艺去除残余的光刻胶，灰化过程中通入CF4气体；
其中，光刻胶去除后，位于所述熔断部下方的阻挡层的宽度小于所述熔断部的宽度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过灰化工艺和湿法清洗工艺去除残余的光刻胶之后，所述方法还包括：
在所述熔断部两侧形成保护层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在介质层上方的金属层中形成熔断部，包括：
在所述介质层上方形成阻挡层；
在所述阻挡层上方形成金属层；
刻蚀所述金属层和所述阻挡层，形成熔断部。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过光刻和刻蚀工艺，在所述熔断部两侧的介质层中形成凹槽，包括：
通过光刻工艺定义熔丝区域；
刻蚀所述熔丝区域的钝化层、介质层，在所述熔断部两侧的介质层中形成凹槽。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述熔断部两侧形成保护层，包括：
在衬底上形成保护层；
对所述保护层进行刻蚀，刻蚀后的保护层覆盖熔断部两侧凹槽的侧壁。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为Ti/TiN层。
7.根据权利要求2或5所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化物和/或氮氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
